如何设计与50%的占空比一个20MHz的晶体振荡器

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holddreams

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如何设计与50%的占空比一个20MHz的晶体振荡器电路?我用0.5um CMOS逻辑制程,并选择电路像一些报纸说,但后仿真结果占空比是不完全的50%。我添加去耦电容在VDD和VSS。我怎样才能控制到50%的占空比?我应该多长时间模拟电路?10U?20U?要不?有一次,我为1.5ms模拟电路,并随时间变化的责任cycel .....感谢。
 
我给导线的初始电流,运行模拟,但随时间的占空比变化。是初始条件不对?
 
不输出峰峰值是稳定的?什么样振荡器?什么样的晶体振荡器?
 
皮尔斯电路。当模拟lont IME,占空比是:tt_corner:49%ss_corner:46.8%ff_corner:52.8%我怎样才能获得50%的占空比?这三个角不能在同一时间获得50%的占空比。
 
在回答你的问题是,你无法实现真正的50%的占空比,除非你有无限的带宽。由于在变频器的电荷存储元件(我假设皮尔斯振荡器采用CMOS逆变器)的对称性会歪斜。
 
这是很难控制50 -50不同角落的责任。你可以serires a电阻输出电路,调节电阻,你可以得到更多的收益,可以更好地在角落里GTE过程50-50 [SIZE = 2] [颜色=#999999] 2分钟后加入:[/色] [/SIZE]的仿真时间,我想补充的初始条件,以及有关SS / TT / FF,高/低电压,-40,125 200us模拟。因为某些角落不需要200us,但在最坏的情况下,也许200us是模拟时间需要
 
嗨,mitgrace,你能分享的20MHz晶体仿真模型我吗?感谢。
 
搜索:一个1.2微米CMOS电流控制在谷歌Oscillator.pdf可能是可以帮助美国
 
喜holddreams,你可以上传你的电路设计?而且我帮你分析。
 

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