如何设计维护了带隙基准启动？

B

bharatsmile2007

Guest
大家好，

什么是在BGR的启动电路的设计上的限制？

如何改善启动时间
， 下面的电路
， 使用？

附置是换BGR的和启动我想设计维护....
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您好bharatsmile，

这个启动限制
， 我能想到的：
1 。它总是在因为当VDD上升，二极管连接的NMOS管会已越过它一VGS电压。连接到V在PMOS -将对不同了昂贵的栅极电压。
2 。带隙电压将会有一个错误的术语
， 因为启动PMOS晶体管的电流
， 到V转储节点造成了第一季度和第二季度之间目前不匹配。
问：
1 。你就在启动个CKT的大门是连接到VC1一样调出它的漏极PMOS的依赖？我认为你必须烧掉目前很多拉动其流失
， 因此关闭在PMOS晶体管的漏极开始连接到V -。

如果您仍在使用规划用于启动此个CKT那么你可以执行下列操作以提高启动速度：
请确保您的放大器具有高带宽
， 并开始在低电压高达。这是因为你似乎是在放大器依靠拉动VC1一样了启动过程中。因此，如果你拉下VC1一样在较低的电压和更快的速度，你的启动将得到加强。

 
感谢xy85061182 ..

什么是使用启动龙蜇NMOS管的优势呢？

供参考：我已经提到的在更新附件的晶体管...
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感谢Transbrother为乌拉圭回合的答复..供参考：我已上载的附置（命名为启动的晶体管）

限制：

1）我调整了MS2分部晶体管VGS电压
， 将它的电源切断时达到内径...但sitll我可以透过它看到纳米安培以下...

问题：

1）是transbrother，我需要一些MS1烧伤晶体管电流
， 使MS2分部的截止...

我会尽量改善所运放和检查...

ü建议做任何其他后续电路开始...？

再次感谢...

 
bharatsmile，

它看起来像使用ms3是一种低宽/长的设备
， 因为它的VGS电压必须足够高
， 从而MS2分部关闭。

本人不发现任何东西
， 特别是在错误的启动电路
， 除非你的条件
， 把MS2分部关闭可能导致目前的一些浪费。我不喜欢这样个CKT布特是
， 有没有启动循环。

什么xy85061182可能是说的是
， 人们通常使用的启动一'长通道'晶体管。所以在这种情况下
， 你将不得不使用很长的通道PMOS晶体管（接地门），而不是MS1。由于这项活动负载（长通道）晶体管
， 其内径1上升过程中可以以这样一种方式信号拉下VC1一样使这个上下来时
， 电流已达到一定水平的道路上拉。用这种方法的问题是
， 你有一个除了温度成正比的反馈回路和启动的带隙循环。这种方法可以更快地为您使用的反馈。然而，风险是
， 循环可能振荡。另外一个非常简单的想法可能是只是把一个大电阻像一个长通道晶体管（或有源负载从VC1一样）到GND没有这个启动个CKT，您有。这样
， 总是会有下拉从VC1一样。当有关于供应M2和M3足够的栅极电压，他们将进行当前启动循环。而且，只要安培的电流源可满足在VC1一样的负载，则应该没有在正常运作。如果您想尝试这种解决方案请让我知道它是如何工作了。这种方法也可能会以更快的启动
， 你是不是在每说一个启动个CKT体重依赖。

不过，我想一般人的想法你的启动是正确的。这是拉动VC1一样
， 以启动降低个CKT。我不知道你正在筹建硅使用该电路。一个关切的问题
， 我会在你的电路是您使用的是NMOS管（转换器使用）栅极电压关闭了项目管理办公室（MS2分部）。这是您要匹配一个NMOS VGS电压
， 以一个PMOS管的。因此，我将取代使用ms3到一个二极管连接的PMOS管。这样的MS2分部Vt与PMOS的使用ms3将跟踪。

至于目前在MS2分部的毫微安，你可能只需要调整您的MS2和转换器使用的尺寸来解决
， 如果你想使用这个电路。

 
谈到v十，V型为启动节点不建议。小偏移在V电流可以提供曲率很大的改变。此方法还包括启动循环
， 你必须小心
， 启动电流不下去，处于稳定状态了。其他轻微的问题是降低供应抑制。
该标准方法
， 是把VC1一样了。与启动循环的方法可以非常低的电流，但需要仔细调查。如果你想要安全不引入到V启动电流 / V型。

 
感谢transbrother和saro_k_82的点...

启动电路的使用是为了避免在circuit.Is它的不良经营点
， 启动电路可在传宗接代带隙电压更快帮助？

 
嗨，

我还有一个疑问：

会有任何输出参考电压（带隙基准电路的启动和不启动电路）的区别？

感谢...

 
嗨，

将暂让我知道必须为节点的初始条件
， 以测试启动ciruit？

供参考：请找出与标记节点电路...

非常感谢....
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bharathsmile，

答案将在vbg不同和不启动：
如果电路已经开始了，并vbg谈到正确电压，以图片的启动时不应该改变vbg。

对初始条件：
斜了内径从GND。尝试不同的上升时间。此外，短暂人生。

它之所以是不是一个超级想法给予初始条件是
， 它可以是多种多样的硅大大不同。如果你想执行快速模拟然后尝试初始条件的标准。即：
V型= 0，第五 = 0;这是一种合理的
， 因为应该没有电流流过16秒后增加：流经第二季度和第一季度

 
感谢Transbrother ...

当我开始的初始条件V型和V 零没有建立并执行电路启动区（。运算）SIM卡，我看不出电流流过，所有的晶体管在切断，这是不可取的条件。

当我开始的初始条件V型和V 到零增长电路没有启动
， 并执行转录的SIM内径坡道，我看到的BGR积存的电压和稳定至1.2V的

我的疑问是如何设置的电路
， 不需要使用运行条件的初始条件
， 然后执行瞬态仿真和看到的BGR未能成功地建立起了电压？

 
的原因
， 瞬态正在启动
， 可能是因为你有一些漏电流路径到V型和V 启动了个CKT。你可以把一个100nA的理想电流源与GND V上拉下来，和V 和关闭此电流关闭后。这种方式
， 您可以确保V型和V 在0V是在出现短暂的启动。

因此
， 在这种情况下
， 如果启动个CKT启动得当，应该克服100nA的电流
， 仍然启动电路。这将测试是否启动个CKT正在完成其工作。

 
由于其工作transbrother ...我可以看到不同的启动和不启动的瞬态仿真...

我有一个问题：

当我直流（。运算）的启动电路仿真没有初始条件下，我看到了MS1线性，MS2分部界限是，使用ms3 sat.Is有任何问题
， 如果MS1线性是，我的意思是弊？我将模拟和设U知道的建议ü的结果是使人们：

“一个很简单的想法可能是只是把一个大电阻像一个长通道晶体管（或有源负载从VC1一样）该人不经启动个CKT接地
， 您有。这样
， 总有一从下拉VC1一样。当有在货币供应M2和M3足够的栅极电压，他们将进行当前启动循环。而且，只要安培的电流源可满足在VC1一样负载，则应该没有在正常的运作。如果你想请让这个解决方案我知道它是如何工作。而且这种做法可能会以更快的启动
， 你是不是在每说一个启动个CKT体重依靠。“再次感谢..
非常抱歉，您需要登录以查看此附件

 
启动后
， 在正常运作，MS1已在电阻区是为了使MS2分部关闭。如果在坐的MS1，MS2分部将不会关闭正常。缺点是通过MS1电流将不匹配电流通过货币供应M2和M3的。然而，MS1目前将低于ID为M2或M3的。这是启动个CKT特点。然而，重要的是要注意到
， 在启动过程MS1是坐在当个CKT正在启动。

 
感谢transbrother ...

我有一个疑问..

在启动电路的使用是为了避免在circuit.Is它的不良经营点
， 启动电路可在传宗接代带隙电压更快相比没有启动帮助？

 
Bharathsmile2007，

如果一个人没有将这个带隙电压启动个CKT，除非存在
， 则是我们无法比拟的带隙电压的情况来与不带启动个CKT了。话虽如此，启动个CKT与放大器和其他个CKT这里是在启动涉及一起构成了启动时间。即使你能够有一个理想的启动个CKT（即响应VDD，而产生了0秒所需的输出），你还是有限制的温度成正比循环，运算放大器的响应，并在带隙电路的晶体管来转启动个CKT起飞。

希望这会有所帮助。

- Transbrother

 
您好transbrother ..

感谢您的信息...提到的U点是正确的...我们cannot比较稳定时间...

我为看到在不同角落的稳定时间两种模拟类型...

1）没有陈德良（内径坡道
， 不含有启动和不启动BGR的初始条件）。

2）没有陈德良（内径匝道与同启动和BGR的初始条件）
没有启动。（初始条件VC1一样为VDD）

在第一情况下
， 我看到的启动BGR的建立时间比较晚没有启动...（所不同的是少..但是..启动晚）

在第二情况下
， 我看到了启动BGR的建立时间比较早没有启动...（这是什么ü告诉它也不容比较
， 因为初始地区实测
， 没有在最恶劣的角落BGR的启动..不能建设所需的电压
， 但在与启动BGR的同一角落能够建立所需的电压...）是

， 在第一案也是与启动BGR的建立时间应尽早启动时相比没有？再次感谢...

 
Bharathsmile，

很难说在你的研究是否启动时间应低于或不成立电路启动。据我了解你的结果，分析案件1，您就能够得到的带隙启动没有启动个CKT。这意味着有一些启动机制（无论是由于泄漏电流或其他方法）。您需要先了解这个机制。然后
， 你应该能够比较
， 为什么不带隙启动启动个CKT更快。

让我知道你的结果。

- Transbrother

 
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