Apr 10, 2011 #1 S sushmitasri Guest 我工作的一极片上低功耗的LDO。我不能使用片外盖所以我要去一个nMOS的晶体管。虽然它有很高的辍学，我可以住在一起，目前，最大负载电流将有约二毫安和有关使用1.8 - 2V的电源1.2V的稳压输出。我想了解设计步骤，以找出什么样的建筑去与放大器的差异，以及如何找出它的增益设计。
我工作的一极片上低功耗的LDO。我不能使用片外盖所以我要去一个nMOS的晶体管。虽然它有很高的辍学，我可以住在一起，目前，最大负载电流将有约二毫安和有关使用1.8 - 2V的电源1.2V的稳压输出。我想了解设计步骤，以找出什么样的建筑去与放大器的差异，以及如何找出它的增益设计。
Apr 10, 2011 #2 E erikl Guest [报价= sushmitasri; 870354] ...我不能使用片外盖所以我要去一个nMOS的晶体管。 [/报价]不一定：参考[url =“http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=1233757”]这个[/网址]纸。 [报价= sushmitasri; 870354]我想了解设计步骤，以找出什么样的建筑样去为差分放大器与及如何找出增益，以设计它的[/报价]有没有特别的差异放大器。体系结构需要。基本是零同步取消（目前依赖）输出极（见我的文件）。必要的增益 - 一如既往 - 取决于所需的输出电压精度。
[报价= sushmitasri; 870354] ...我不能使用片外盖所以我要去一个nMOS的晶体管。 [/报价]不一定：参考[url =“http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=1233757”]这个[/网址]纸。 [报价= sushmitasri; 870354]我想了解设计步骤，以找出什么样的建筑样去为差分放大器与及如何找出增益，以设计它的[/报价]有没有特别的差异放大器。体系结构需要。基本是零同步取消（目前依赖）输出极（见我的文件）。必要的增益 - 一如既往 - 取决于所需的输出电压精度。
