如何选择BiCMOS设计双极大小？

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wee_liang

Guest
嗨，我是新来的BiCMOS设计（尤其是BJT）。在CMOS中，我们选择WL相应获得GM我们要怎么样BJT等？主要参数变化是发射区，但这只是影响是在IC方程的变量。哪些因素是在设计一个好的选择大小？有什么副作用，如果IC是过于小BJT高？任何规则的经验？
 
双极性设计通常的做法 - 你有几个固定的设备布局和香料，每布局模型。这是因为布局的变化可能会改变一些参数的Spice模型。而这不仅可以改变，但RB，RC或其他人也。因此，如果您需要更大的晶体管的尺寸最好是使用几个固定布局并行连接的设备。这也是很好的做法，当你需要保持电流镜的比例。如果您需要大电流的设备（除几百mA以上）应使用所谓的镇流器连接到发射器或基地电阻。双极晶体管的增益（B或h21e）已在IC的依赖。这是降低高与低Ic和Ic的同时，并为一些中等Ic的最大值。该器件的电流密度（或设备大小）应该对应到IC时，增益的最大值。祝你好运，FOM
 
我想补充什么已经说过。通常情况下，晶体管的尺有一个最大的IC稍前H21下降（在较高的电流年底）开始。因此，要选择设备方面，采取晶体管，可以进行良好的H21并提供良好的尺（如果您需要它）所需要的IC。
 
通常在BiCMOS工艺，该工艺已高度优化的CMOS和BJT的是“废料”的设备。如果你有NPN和PNP侧，是这种情况。无论如何，这些过程几乎总是有一个建议NPN布局，它像两极不是你可以绘制任意大小的发射器你想要的。同时，在BICMOS，这么大的双极型晶体管（比CMOS），他们只用特殊的东西 - 输入低失调放大器，带隙，温度传感器对。所有这些应用中使用的“信号”区域BJT的 - 1至100uA的，其中单BJT的都很好使用。当然在任何情况下使用带隙1:8，等我有没有看到一个BiCMOS工艺功率BJT ..应用在哪些领域？你应该考虑是否BJT是适合您的设备，如果你问它来进行大电流。有可能是一个更好的（更小）的方式使用金属氧化物半导体。
 
我会允许自己坚决不同意的BiCMOS工艺有零碎BJT的。我目前正与0.35u的SiGe BiCMOS和要告诉你，我们有大约40GHz的为NPN尺垂直NPN和PNP。此外，BJT的使用上，我们与CMOS标准杆几乎无处不在。很多时候，他们被证明是非常有用的。
 
我同意sutapanaki目前我使用0.35微米SIGE。该铸造提供高perfomance NPN的FT是高达40GHz。但我有一个头疼的问题，对于一个具体的NPN。如果我只有每一个射极跟随器和差分对目前的预算大约为100uA。我会选择在最高英尺一个微小的装置，它的偏见，但问题出现在这里，微小的设备有巨大的不匹配和偏置参数。我该如何解决这个问题？
 
我认为ü可以使用典型的foundry.just大小Unitrode company.they使用两个双极倍甚至建立一个双晶体管带隙。
 
[报价= chihyang王]我与sutapanaki目前我使用0.35微米SIGE同意。该铸造提供高perfomance NPN的FT是高达40GHz。但我有一个头疼的问题，对于一个具体的NPN。如果我只有每一个射极跟随器和差分对目前的预算大约为100uA。我会选择在最高英尺一个微小的装置，它的偏见，但问题出现在这里，微小的设备有巨大的不匹配和偏置参数。我该如何解决这个问题呢？[/QUOTE]你用austriamicrosystem过程？
 
嘿嘿 - 你可以强烈地不同意，如果你想要的。记住，我提到一个过程包含横向PNP - 这是一个明确的信号，你的BJT的是废料。垂直PNP的过程是指至少有针对性地BJT如果不从两极过程中得到，显然，一个SiGe工艺的一点是使HBT，所以我真的希望他们有一个良好的两极！我个人认为，世界上有太多的手机已经，所以我想我什至不想想你穷的时候我觉得RF BiCMOS制家伙，但我会记住它在未来..
 
建立横向PNP不是火箭科学，你知道。即使是纯粹的CMOS有他们。由于事实上我的BiCMOS工艺的使用横向PNP过，但这一事实本身并不能使它成为一个斗志旺盛的议事录。哦，顺便说一句，我不是一个RF的家伙，但仍使用BiCMOS工艺。 RF是不是唯一可以从中受益。
 
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