M
MEMS_rules
Guest
大家好,
我目前正在设计一种悬臂式MEMS开关的
, 我需要检查的变化射频参数
, 如插入损耗,隔离损失等( wrt频率)的不同它的一些参数
, 如长度的启动区,正常的差距的高度。我想模拟相同HFSS 。目前的S /
W型 的
, 我的工作( HFSS v9.2 ) doesn't谈论任何生根粉射频模拟。请帮助我如何着手。我有3块元素在我的电路。(
注册商标 , L时,丙)
如何很好的ADS和AWR相比HFSS 。我不精通这些。
我目前正在设计一种悬臂式MEMS开关的
, 我需要检查的变化射频参数
, 如插入损耗,隔离损失等( wrt频率)的不同它的一些参数
, 如长度的启动区,正常的差距的高度。我想模拟相同HFSS 。目前的S /
W型 的
, 我的工作( HFSS v9.2 ) doesn't谈论任何生根粉射频模拟。请帮助我如何着手。我有3块元素在我的电路。(
注册商标 , L时,丙)
如何很好的ADS和AWR相比HFSS 。我不精通这些。