G
Guest
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由于SOI技术是适用于高速和低功耗电路，它是可以接受的市场
， 未来5-10年？
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H
hrkhari
Guest
我猜想是成本是可以接受的折衷与基板诱导扭曲，然后SOI技术将找到自己的方式通过
Rgds
Rgds
C
cetc1525
Guest
我认为
， 当成本低，将有一个大macket 。
， 当成本低，将有一个大macket 。
Y
yyliang
Guest
我认为SOI技术是最重要的未来，但在10年里，它仍然是非常昂贵。
G
Guest
Guest
是的，它的高价格是一个大问题
， 反正！
然而，它可以完全符合这一趋势的高速和低功耗设计。
市场，
而 不是设计师，总是决定一切。
， 反正！
然而，它可以完全符合这一趋势的高速和低功耗设计。
市场，
而 不是设计师，总是决定一切。
G
Guest
Guest
如果消费者非常需要低功耗和高男，这将降低成本
S
selvaraja
Guest
您好
SOI技术是未来的，但成本是最大的问题在这里。
SOI技术是未来的，但成本是最大的问题在这里。
C
Colbhaidh
Guest
SOI技术的问题
， 是这一进程的成本和流程集成问题。每当这似乎是成本competative ，
但 在CMOS打破了模具。由于SOI技术已可用于20 年来，问问自己
， 为什么不是主流集成电路加工-答：它是不容易的，
而 不是成本competative和不跟上CMOS集成电路加工。
它也有未来的高电压集成电路，但主流的东西-返回一个不同的马。
， 是这一进程的成本和流程集成问题。每当这似乎是成本competative ，
但 在CMOS打破了模具。由于SOI技术已可用于20 年来，问问自己
， 为什么不是主流集成电路加工-答：它是不容易的，
而 不是成本competative和不跟上CMOS集成电路加工。
它也有未来的高电压集成电路，但主流的东西-返回一个不同的马。
G
Guest
Guest
成本高是因为其不同的晶圆。
J
jason_class
Guest
大家好任何人都知道有多少的SOI CMOS工艺成本超过stadard批量CMOS工艺？
任何链接此信息？
多谢
杰森
任何链接此信息？
多谢
杰森
S
scottieman
Guest
jason_class写道：
大家好任何人都知道有多少的SOI CMOS工艺成本超过stadard批量CMOS工艺？
任何链接此信息？多谢杰森
大家好任何人都知道有多少的SOI CMOS工艺成本超过stadard批量CMOS工艺？
任何链接此信息？多谢杰森
S
SkyHigh
Guest
本主题被张贴于2004年12月。
jason_class ，你真的把努力更多地了解的SOI 。古德勒克！
我相信
， 答案从以往的成员2004年12月以来
， 直到最近的一次是应该已经相信你的SOI衬底的成本和质量了。
我不知道IBM的博士论文是有益宁给你。
如果你想知道更多关于SOI技术，尝试用其他关键字搜索一样应变硅，硅锗， BiCMOS工艺。您可能会获得更多的线索
， 以更广泛的知识。
干杯！
博士
（英国伦敦帝国学院）
jason_class ，你真的把努力更多地了解的SOI 。古德勒克！
我相信
， 答案从以往的成员2004年12月以来
， 直到最近的一次是应该已经相信你的SOI衬底的成本和质量了。
我不知道IBM的博士论文是有益宁给你。
如果你想知道更多关于SOI技术，尝试用其他关键字搜索一样应变硅，硅锗， BiCMOS工艺。您可能会获得更多的线索
， 以更广泛的知识。
干杯！
博士
（英国伦敦帝国学院）
J
jason_class
Guest
您好Scottieman和Sky高
非常感谢你。
我试图寻找所有信息在这个论坛上的SOI的CMOS 。
我会检查你所提到的IBM文件。
顺便说一下Scottieman ，
我 看到从书本和文件
， SOI技术的CMOS兼容的批量CMOS整合。你是什么意思的进程问题？
请enligthen
谢谢大家。
最好的问候
杰森
非常感谢你。
我试图寻找所有信息在这个论坛上的SOI的CMOS 。
我会检查你所提到的IBM文件。
顺便说一下Scottieman ，
我 看到从书本和文件
， SOI技术的CMOS兼容的批量CMOS整合。你是什么意思的进程问题？
请enligthen
谢谢大家。
最好的问候
杰森
S
scottieman
Guest
jason_class写道：
您好Scottieman和Sky高非常感谢你。
我试图寻找所有信息在这个论坛上的SOI的CMOS 。
我会检查你所提到的IBM文件。顺便说一下Scottieman ，我看到从书本和文件， SOI技术的CMOS兼容的批量CMOS整合。
你是什么意思的进程问题？
请enligthen谢谢大家。最好的问候
杰森
您好Scottieman和Sky高非常感谢你。
我试图寻找所有信息在这个论坛上的SOI的CMOS 。
我会检查你所提到的IBM文件。顺便说一下Scottieman ，我看到从书本和文件， SOI技术的CMOS兼容的批量CMOS整合。
你是什么意思的进程问题？
请enligthen谢谢大家。最好的问候
杰森
S
SkyHigh
Guest
SOI技术是双极型和CMOS兼容。但是
， 使双极晶体管的CMOS兼容的是不容易的，尤其是在同一的SOI 。
scottieman ，纳米门像90和65纳米的问题
， 几何形状，
即 限制晶体管中使用的模拟匹配（不是甚至提到射频） ，电（造成短路相邻互连和开路单互连） ，困难深亚
等 垂直互连
这是一个整体的问题向其他进程，不只是单独的SOI 。
， 使双极晶体管的CMOS兼容的是不容易的，尤其是在同一的SOI 。
scottieman ，纳米门像90和65纳米的问题
， 几何形状，
即 限制晶体管中使用的模拟匹配（不是甚至提到射频） ，电（造成短路相邻互连和开路单互连） ，困难深亚
等 垂直互连
这是一个整体的问题向其他进程，不只是单独的SOI 。
H
Humungus
Guest
关于这个问题的硅带uniformiti只出现在完全耗尽的晶体管的阈值电压下运作这一制度取决于硅厚度。也有一些特殊照顾时
， 必须考虑选用种植体精力的分配cernter的注入离子必须处于中心的积极硅。其实，薄于100纳米硅层〜 50nm的需要。
另一方面，部分耗尽器件更敏感硅层厚度的变化。
这就是为什么目前的SOI过程使用的是局部放电装置，但金融衍生工具的SOI即将。
另一方面，短通道效应更容易控制的SOI比散装。
， 必须考虑选用种植体精力的分配cernter的注入离子必须处于中心的积极硅。其实，薄于100纳米硅层〜 50nm的需要。
另一方面，部分耗尽器件更敏感硅层厚度的变化。
这就是为什么目前的SOI过程使用的是局部放电装置，但金融衍生工具的SOI即将。
另一方面，短通道效应更容易控制的SOI比散装。
S
scottieman
Guest
Humungus写道：
关于这个问题的硅带uniformiti只出现在完全耗尽的晶体管的阈值电压下运作这一制度取决于硅厚度。
也有一些特殊照顾时，必须考虑选用种植体精力的分配cernter的注入离子必须处于中心的积极硅。
其实，薄于100纳米硅层〜 50nm的需要。另一方面，部分耗尽器件更敏感硅层厚度的变化。这就是为什么目前的SOI过程使用的是局部放电装置，但金融衍生工具的SOI即将。另一方面，短通道效应更容易控制的SOI比散装。
关于这个问题的硅带uniformiti只出现在完全耗尽的晶体管的阈值电压下运作这一制度取决于硅厚度。
也有一些特殊照顾时，必须考虑选用种植体精力的分配cernter的注入离子必须处于中心的积极硅。
其实，薄于100纳米硅层〜 50nm的需要。另一方面，部分耗尽器件更敏感硅层厚度的变化。这就是为什么目前的SOI过程使用的是局部放电装置，但金融衍生工具的SOI即将。另一方面，短通道效应更容易控制的SOI比散装。
S
SkyHigh
Guest
添加到Humungus后，
报价：
另一方面，短通道效应更容易控制的SOI比散装。
报价：
另一方面，短通道效应更容易控制的SOI比散装。
J
jason_class
Guest
您好天空高， Scottieman和Humungus
非常感谢你写回有这么多的意见交流。
我知道从书
， 帕金森病的SOI
的 Vth的独立后门偏见由于其大型中立地区积极硅薄膜。然而消化不良SOI技术将有大vaiation在其机Vth由于制程变异（如已提出了关于这一问题的薄膜均匀8
， 甚至12英寸晶圆） 。
任何人都知道
， 如果植入能源和剂量SOI技术的CMOS应低于或更高的比较传统CMOS ？
我经常发现从互联网上的SOI的CMOS通常伴随着紧张的SOI的CMOS 。这是否意味着目前的现状是使用完全应变硅锗甚至SOI技术的CMOS （包括金融衍生工具的SOI和PD的SOI ） ？听到这一切的融合方法
， 如了ldd和STI ..适用于传统CMOS可用于制造的CMOS SOI技术。但是
， 任何一般必须作出改变？
可我知道如果目前的SOI技术的CMOS仍然使用洛或已经取代了性传播疾病？
如果有谁知道它介绍最好的SOI CMOS和有关批量
， 甚至紧张的CMOS ，请让我知道了冠军。
从书本，我知道有积累和反演模式的CMOS器件。你知道哪一种更倾向于的NMOS和PMOS上的设计或制造的角度看？
谢谢你的帮助和咨询
， 先进
我真诚地希望我们能够讨论上述议题
最好的问候
杰森
非常感谢你写回有这么多的意见交流。
我知道从书
， 帕金森病的SOI
的 Vth的独立后门偏见由于其大型中立地区积极硅薄膜。然而消化不良SOI技术将有大vaiation在其机Vth由于制程变异（如已提出了关于这一问题的薄膜均匀8
， 甚至12英寸晶圆） 。
任何人都知道
， 如果植入能源和剂量SOI技术的CMOS应低于或更高的比较传统CMOS ？
我经常发现从互联网上的SOI的CMOS通常伴随着紧张的SOI的CMOS 。这是否意味着目前的现状是使用完全应变硅锗甚至SOI技术的CMOS （包括金融衍生工具的SOI和PD的SOI ） ？听到这一切的融合方法
， 如了ldd和STI ..适用于传统CMOS可用于制造的CMOS SOI技术。但是
， 任何一般必须作出改变？
可我知道如果目前的SOI技术的CMOS仍然使用洛或已经取代了性传播疾病？
如果有谁知道它介绍最好的SOI CMOS和有关批量
， 甚至紧张的CMOS ，请让我知道了冠军。
从书本，我知道有积累和反演模式的CMOS器件。你知道哪一种更倾向于的NMOS和PMOS上的设计或制造的角度看？
谢谢你的帮助和咨询
， 先进
我真诚地希望我们能够讨论上述议题
最好的问候
杰森
S
scottieman
Guest
jason_class写道：听到这一切的融合方法，如了ldd和STI ..
适用于传统CMOS可用于制造的CMOS SOI技术。
但是，任何一般必须作出改变？最好的问候
杰森
适用于传统CMOS可用于制造的CMOS SOI技术。
但是，任何一般必须作出改变？最好的问候
杰森