带隙与供应网域之间的2 ..

[Tom_Sawyer]

喂，

我要设计一个带隙基准非常高的供应范围： 2V - 40V的高压使用的BiCMOS技术。

我希望我能拓扑建议。

我的想法是建立在2级联bandgaps建设“真正的”带隙可内设计了4 ％的错误宽容。

最好的问候，

汤姆

 

[gevy]

我可以提供以下的想法：
一个 高输入电压低压差稳压输出电压约1.6 ...1.8
V 和低输入电压带隙。
什么技术
， 您将使用？0.6u ， 0.25u ， 0.18u或其他？

 

[gevy]

我可以提供以下的想法：
一个 高输入电压低压差稳压输出电压约1.6 ...1.8
V 和低输入电压带隙。
什么技术
， 您将使用？0.6u ， 0.25u ， 0.18u或其他？

 

[Tom_Sawyer]

我将使用0.8um技术。

我感谢您的帮助，

汤姆

 

[Tom_Sawyer]

你怎么说？

你的意思监管规定了供应的带隙？如果没有其他的供应比2 ..40V的供应？

汤姆

 

[gevy]

是的，提供的输入电压调节器的能隙和能带隙参考电压是为监管机构。该blandgap包括低电压晶体管，它拥有最好的参数相比
， 高压晶体管。启动电路是必要的，它的工作。
我认为这将是很难在低电压（ 2V ） ，如阈值MOS晶体管是大型的0.8u ，但双极晶体管应该帮助。

 

[Guest]

[No message]

 

[cetc1525]

您可以上载的BiCMOS模式。