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带隙电路电压

A

aryajur

Guest
喂,
我想带隙电路模拟。当我用直流分析温度扫描的幽灵,
我 看到的变化输出电压从716mV到700mV 。如果我使用其他晶体三极管二极管模型的电压水平下降到大约600mV ,但目前的消费整个电路增加!
我不明白这一点。是带隙的输出电压依赖于晶体三极管模型我们使用?还是我们有控制权
, 并可以进行调整
, 通过改变参数的电路元件?

 
N

news

Guest
Odbywające się właśnie targi Computex są miejscem wielu premier. Dotyczy to także i Intela, który ogłosił na nich wprowadzenie na rynek szeregu nowych procesorów Core piątej generacji znanych jako Broadwell. Połowa z tych procesorów jest przeznaczona do segmentu niewielkich urządzeń mobilnych i innych gadżetów, dwa są dla komputerów stacjonarnych z...

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B

blue_orangee

Guest
我不知道它too.The典型的带隙基准电压源约为1.205或很少more.Why电压不适合?

 
A

aryajur

Guest
其实我作出subbandgap参考源产生正常人一半带隙基准电压。但是,它不仅取决于晶体三极管模型我们使用? ? ?

 
A

aryajur

Guest
我发现
, 它可以进行调整
, 通过改变电路参数。它主要依赖于当前的数额
, 我们通过二极管的电路

 
G

Guest

Guest
没有人知道如何实现1.6v输出带隙?当我模拟放大器的带隙,增益减去。是什么呢?晶体管的工作所需的区域。

 
Q

qutang

Guest
我认为
, 该模型是很重要的。对失去电流过大。

 
G

Guest

Guest
指导,
你说
: “很简单。只需使用砷化镓不是硅。一切都维持不变。 ”
但是
, 我必须使用台积电0.18过程中,不能使用砷化镓,真的吗?有人告诉我
, 我可以用一个缓冲的电阻分压器实现1.6v输出电压。但我不知道如何去做。

 
J

j2005

Guest
改变的大小
, 晶体三极管并没有太大的电流。尝试改变电阻代替。

 
C

cliffj

Guest
亲爱的杰克,

因为你已经有了一个稳定的血糖电压
范围为 1.2V左右。你只需要一
缓冲区和PMOS / NMOS输出阶段,两个电阻。那么你不能用任何电压调整电阻口粮。Ilike监管)

 
R

rambus_ddr

Guest
嗨,杰克
这很容易实现使用一个运放(这也许能隙误差运放)和两个电阻,电压可以得到的VREF
重 (
r1 R2的) /受体1 。

您好, aryajur
当您使用另一双极晶体管模型,是否被更改,所以在VBE变化
, 即使保持目前的集成电路没有改变,因为在VBE = VTln (集成电路/是) 。

 
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