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嗨大家，
我已经发布这个消息“模拟电路子渡委员会”。但到目前为止
， 没有回答。谁能提供一些关于这个指令？谢谢您。
我是一名学生
， 现在要复制从为一个项目电机及电子学工程师联合会杂志一运放设计。原理图（bmp文件）附加在这个职位（抱歉
， 我不知道如何直接邮寄，所以我使用附件）。
既然我没有这么多的经验，我需要你的帮助
， 以现场口语这种设计。首先我想向大家简要介绍该放大器到它之前
， 我去。
他们利用这种运放的感觉基底噪声通过一个连接马鞍山大帽
， 另一个输入连接安静地基板的投入。以往的设计（从另一组）使用3.0 V电源供电，消耗100MW的0.5微米技术。当前的IEEE纸设计中使用0.35微米技术。这两个原理是indentical。我曾根据我的理解一些意见和下面的列表。请随时评论他们
， 并给我一些意见。我还使用0.35微米和3.3V电源。
1。这两个群体证明
， 它是宽带放大器和从100kHz带宽到1GHz。为什么它是宽带的原因，我认为这是因为电流模式放大器的输入阻抗低（1/gm5或1/gm7），并且它的输出功率和阻抗也低（1/gm10 = 50欧姆，或1/gm11） 。但是，如果是电流模式放大器，它应该感觉电流输入，但显然
， 大感马鞍山第基底噪声电压，无噪音电流，为什么？也许我错了。
2.Biasing部分：
我已分行的M9和头M8各分支20uA的电流，为10uA和M14分行因为我认为，M14分支只用门控偏置的M5的和M7。我知道有M13和M14之间的反馈，都M13和M14使用M5的偏置和M7的大门。但我不知道如何解释
， 并认为难以确定的M14门节点电压。
多大的M5的，M7和M14直流电压的门我应该得到什么呢？现在
， 我也定在1.8 - 2.0V的之间
， 让两个PMOS的M8和M9（电流镜）与相同讥。我的权利？3。功耗：
在前面的文件（0.5微米，3.0 V电源，100兆瓦，然后在总电流将三十三点三毫安），但是如果我们在输出级看看（因为它应该匹配50欧姆探头），在1/gm10或1/gm11应该是50欧姆也，则分行M10驱逐或与有关将100ohms探测馆M11会议室总的阻抗。那么只有输出级将消耗3.0v/100ohms = 30mA的，几乎是三十三点三毫安？？？
所以，如果我设置40uA的货币供应M3的分支机构
， 每个输出级除外别人20uA的电流，是可行的？
4。内径- GND和输入阶段：
如果我使用3.3伏供电0.35微米技术，我可以设置内径= 3.3 V和Vss为= 0五，或VDD = 1.65 V和Vss为=- 1.65V的？现在，我选择了前一种情况，因为这是关系到输入级偏置
， 我想我应该在货币供应量M1的大门一定的电压和M2为了让货币供应量M1和M2和M3的也饱和。现在，我设置了货币供应量M1的栅极电压和M2在1.5 - 2.5伏之间（现在还没有钉）。可以吗？
5。电阻负载：
我想
， 为什么他们选择的负载电阻，有两个原因。之一是
， 他们不希望实现relativey第一阶段的低输出阻抗高增益。由于他们的文件表明，它只有3dB至1 GHz的从100kHz增益。第二个原因是不存在的寄生电容
， 而不是MOSFET的负载，那么他们可以推竿的hight频率以达到高带宽。我的权利？什么与电阻负载设计的原则？
6。输出级：
我如何选择的输出级MOSFET的源极跟随器？只要计算达到1/gm = 50欧姆？
我很欣赏你的意见和帮助。
美好的周末。
伊森
我已经发布这个消息“模拟电路子渡委员会”。但到目前为止
， 没有回答。谁能提供一些关于这个指令？谢谢您。
我是一名学生
， 现在要复制从为一个项目电机及电子学工程师联合会杂志一运放设计。原理图（bmp文件）附加在这个职位（抱歉
， 我不知道如何直接邮寄，所以我使用附件）。
既然我没有这么多的经验，我需要你的帮助
， 以现场口语这种设计。首先我想向大家简要介绍该放大器到它之前
， 我去。
他们利用这种运放的感觉基底噪声通过一个连接马鞍山大帽
， 另一个输入连接安静地基板的投入。以往的设计（从另一组）使用3.0 V电源供电，消耗100MW的0.5微米技术。当前的IEEE纸设计中使用0.35微米技术。这两个原理是indentical。我曾根据我的理解一些意见和下面的列表。请随时评论他们
， 并给我一些意见。我还使用0.35微米和3.3V电源。
1。这两个群体证明
， 它是宽带放大器和从100kHz带宽到1GHz。为什么它是宽带的原因，我认为这是因为电流模式放大器的输入阻抗低（1/gm5或1/gm7），并且它的输出功率和阻抗也低（1/gm10 = 50欧姆，或1/gm11） 。但是，如果是电流模式放大器，它应该感觉电流输入，但显然
， 大感马鞍山第基底噪声电压，无噪音电流，为什么？也许我错了。
2.Biasing部分：
我已分行的M9和头M8各分支20uA的电流，为10uA和M14分行因为我认为，M14分支只用门控偏置的M5的和M7。我知道有M13和M14之间的反馈，都M13和M14使用M5的偏置和M7的大门。但我不知道如何解释
， 并认为难以确定的M14门节点电压。
多大的M5的，M7和M14直流电压的门我应该得到什么呢？现在
， 我也定在1.8 - 2.0V的之间
， 让两个PMOS的M8和M9（电流镜）与相同讥。我的权利？3。功耗：
在前面的文件（0.5微米，3.0 V电源，100兆瓦，然后在总电流将三十三点三毫安），但是如果我们在输出级看看（因为它应该匹配50欧姆探头），在1/gm10或1/gm11应该是50欧姆也，则分行M10驱逐或与有关将100ohms探测馆M11会议室总的阻抗。那么只有输出级将消耗3.0v/100ohms = 30mA的，几乎是三十三点三毫安？？？
所以，如果我设置40uA的货币供应M3的分支机构
， 每个输出级除外别人20uA的电流，是可行的？
4。内径- GND和输入阶段：
如果我使用3.3伏供电0.35微米技术，我可以设置内径= 3.3 V和Vss为= 0五，或VDD = 1.65 V和Vss为=- 1.65V的？现在，我选择了前一种情况，因为这是关系到输入级偏置
， 我想我应该在货币供应量M1的大门一定的电压和M2为了让货币供应量M1和M2和M3的也饱和。现在，我设置了货币供应量M1的栅极电压和M2在1.5 - 2.5伏之间（现在还没有钉）。可以吗？
5。电阻负载：
我想
， 为什么他们选择的负载电阻，有两个原因。之一是
， 他们不希望实现relativey第一阶段的低输出阻抗高增益。由于他们的文件表明，它只有3dB至1 GHz的从100kHz增益。第二个原因是不存在的寄生电容
， 而不是MOSFET的负载，那么他们可以推竿的hight频率以达到高带宽。我的权利？什么与电阻负载设计的原则？
6。输出级：
我如何选择的输出级MOSFET的源极跟随器？只要计算达到1/gm = 50欧姆？
我很欣赏你的意见和帮助。
美好的周末。
伊森