帮助ADC的精度！

[overmars]

我设计了一个流水线ADC的14位50Msps，我完全差翻转临屋区，并虚拟地电压VCM如下图所示。如果我改变VCM，我ADC的整体精度也相应不同。但REF的thoery，VCM将不影响转换精度。那么哪里的问题？这条管道，是第一阶段的3.5bit，和最后阶段的最后3位的8 * 1.5bit/stage。在做后布局模拟，偏移，似乎是10LSB和增益误差5LSB的要求。然后我不同的参考和外部设置的正面和负面的的文献，但偏移和增益误差不减少。为什么是[COLOR =“银”] [SIZE = 1 ]----------发表于10时37分补充----------上一篇是在10点34呢？ - ---------[/SIZE] [/color]图

 

[dgnani]

我想我们需要多几个拼图块： - 你为什么向我们展示的临屋区，你已经收窄问题吗？ - 若有问题存在于预布局模拟？ - 如果我不得不采取胡乱猜测，假设问题是临屋区和唯一的布局后，我会看不均匀注射的数字线路，以虚拟的理由之一... ...我想帮助打破你的布局差异运算放大器和其他一切（交换机），看看是否能找出问题，无论是在总结块，你应该提供更多的细节

 

[overmars]

你能告诉我详细的部分，我会上传？对不起，这是不是由于临屋区，但第一条管道阶段，而不是问题。第一阶段的虚拟接地节点设置VCM。理论上的MDAC电容的匹配是非线性的主要贡献者。但在仿真前，有没有匹配的参数。如果虚拟的地面VCM各不相同，不同的ADC的最后精度。这个问题已经无关的布局，因为这是一个预先模拟。所以我不知道原因是相关画中画电容的电压系数。如果我只提取从第一阶段的布局和运行模拟，最终ADC的精度比足额提取效果差。我想这是由于非对称布局的一些差异信号线。另一个难题是，当不同的正面和负面的参考偏见，最终的偏移和增益误差不得到更好的布局后模拟。请帮忙！

 

[mikersia]

额外的非线性可来自自举开关。稳定较高和较低的开关时间将取决于从VCM。在14位精度，它可能是至关重要的。

 

[overmars]

我觉得这是完全的差异结构，开关，连接到VCM具有相同的Vds和Vgs，解决似乎是相同的。请指正！你能解释更具体的原因和哪一个是较高和较低的解决开关？谢谢！

 

[mikersia]

Vds_S1_high，Vds_S1_low大致相同（即〜0V，结算时），但VDB，VSB是不同的（Vdb_S1_high = VIN + = / = Vdb_S1_low = VIN -），因此Vth_S1_high和Vth_S1_low是不同的。 FOT大积极信号开关S1_high将远远超过S1_low罗恩，导致建立时间增加。