Aug 17, 2011 #1 L liucheng311 Guest 亲爱的大家，我想了解电路的零，所以我建立的电路如下图所示：C1的电容约20pF的V1是一种罪过信号，其失调电压为1V，其振幅电压10mV.when的频率V1是高于约1MHZ，在节点B上的电压是一种罪过波，其峰 - 峰值为20mV，和更高的峰值电压是1.92V，这是工作点。我知道在更高的频率，电容将短期门和节点B的，但为什么是更高的峰值电压在其工作点在节点B呢？
亲爱的大家，我想了解电路的零，所以我建立的电路如下图所示：C1的电容约20pF的V1是一种罪过信号，其失调电压为1V，其振幅电压10mV.when的频率V1是高于约1MHZ，在节点B上的电压是一种罪过波，其峰 - 峰值为20mV，和更高的峰值电压是1.92V，这是工作点。我知道在更高的频率，电容将短期门和节点B的，但为什么是更高的峰值电压在其工作点在节点B呢？
Aug 17, 2011 #2 W WimRFP Guest 您好，电容并不短的门，因为你从一个电压源驱动器，使栅极电压是恒定的。电容Y是大WRT通用的频率，VB，将取决于由电容C1和其他金属氧化物半导体场效应晶体管电容分工。你应该把在我看来电压源串联一个电阻。对于高频率，VB将几乎与VGATE阶段。
您好，电容并不短的门，因为你从一个电压源驱动器，使栅极电压是恒定的。电容Y是大WRT通用的频率，VB，将取决于由电容C1和其他金属氧化物半导体场效应晶体管电容分工。你应该把在我看来电压源串联一个电阻。对于高频率，VB将几乎与VGATE阶段。
Aug 17, 2011 #3 L liucheng311 Guest wimRFP，感谢您的回答。报价：VB将确定由电容C1和其他金属氧化物半导体场效应晶体管电容分工。但在节点B更高的峰值电压是V1的频率足够高，只要在其工作点始终，当我改变C1.how电容你解释这个？
