帮我有关ESD保护制度

[longqingshan]

我有一个疑问ESD保护系统在图显示。有两个ESD在PS和ND模式的电流流动的路径。例如，对于PS模式中，ESD电流流过的DP至VDD，然后通过电源钳位到VSS。静电放电电流也可以直接通过MN的寄生NPN晶体管流动到VSS，我要确保这条道路将是在现实中触发？而如何布局公共服务电子化MOS管，护圈？

 

[leo_o2]

低电阻路径将triggerred第一个实用的布局。

 

[erikl]

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[longqingshan]

[报价= erikl; 91.029万]此寄生NPN晶体管（平行锰，DN）的有它的基础非常好它的发射极短，因此它的V [尺寸=“1”]国际消费电子展[/尺寸]将大大高于高V的总和[尺寸=“1”]民主党[/尺寸]和Vpowerclamp。[/报价]答复的感谢！本人认为在台积电标准IO libaray一些IO的垫片，我发现在手指的ESD马鞍山风格的绘制，以及皮卡和漏极之间的最小距离1.624um.so是糖尿病肾病（或DP）串联寄生电阻的问题放电的ESD电流？

 

[leo_o2]

这种寄生虫电阻对ESD可以接受的。因此，没有它的问题。