建议

[vikasnaidu]

我试图积32纳米技术的身份证，自愿离职计划使用的曲线图的ID，自愿离职计划曲线几乎是在饱和区持平甚至升= 160nm，32纳米........从亚利桑那州立大学的宝泰菱文件香料发动机HSPICE的2006.03 - SP1的
， 即使我使用的2008年新版本同样的问题是存在的。plz帮助我
， 让我知道这是否与工具或其他问题
， 因为我觉得语法是水平的导师和53 HSPICE的正确的值是相同的。但在水平54 BSIM4.0问题已经存在

维卡斯奈杜

 

[yschuang]

能不能给我们您的问题更具体？我用了之前和BSIM4比BSIM3很多BSIM4更多的选择。

 

[Guest]

[No message]

 

[vikasnaidu]

其实我做的模拟电路设计中使用BSIM4.0水平在这54个MOSFET的模型参数提取
， 即金伯利进程'lammda等i策划的身份自愿离职计划曲线但他们的阴谋是给为0.05 V型1 lammda价值的文件
， 即使长度即是32纳米的最小长度（我模拟了32纳米节点）。我需要帮助我是否有需要修改模型文件或它是什么else.I附上了两个levls（54＆53）名自愿离职计划曲线。
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