折叠共源共栅运算放大器的偏移量得到很好的匹配

[shock369]

您好所有，任何人都可以解释如何在这种拓扑结构比（W / L的）或差分对晶体管和镜像晶体管设计的宽度和长度，以得到良好的匹配偏移。设计目标：低失调（最大为5mV）轨至轨运算放大器，CMOS技术设计。运算放大器使用的测量。 VDD = 5V MIM。长度为0.7微米感谢的

 

[DenisMark]

我的职位和参考链接： http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=286401&highlight = 最佳匹配的是差异的情况。对级联MOSTs工作在弱反型区和工作在强反型区的镜MOSTs。具有轨至轨输入，因为失调电压与输入共模电压会发生变化。

 

[shock369]

我在模拟IC设计的初学者。这种材料是很难理解的。迄今为止，我认为所有在运算放大器的晶体管必须工作在饱和区。如果差异。对晶体管工作在弱反型区，GM opapm小？

 

[zyyang]

我认为抵消噪音，但R2R运算放大器，可输入对NMOS或PMOS或两个，所以偏移电压必须不是线性的，你可以参考随后的文本

 

[shock369]

我桅杆在此配置中，以避免结构性偏移？晶体管确定结构抵消了如何消除它。

 

[DenisMark]

“结构抵销”？我知道只有系统和随机偏移，ü意味着什么？最能在截止，三极管，饱和度，击穿地区。在饱和度，它能够以弱，中度和强反。在弱反转水平最高的跨导成效。为更好地理解的关键字，这是“通用/ ID方法”。阅读： http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=171318&highlight=cad+methodology+optimizing http://www.edaboard 1212king.pdf看。 COM /了viewtopic.php？P = 651757＃651757 http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=762910＃762910 假设阈值电压失配的主要来源之一可以表明，西格玛（VOS）^ 2 =（VthDiffPair Sigma公司）^ 2 +（VthMirrorMOSTs Sigma公司）^ 2 *（GmMirrorMOST / GmDiffPair）^ 2这是为什么更好地提高差异的跨导。对MOS​​TSs镜像MOSTs。不匹配级联晶体管对偏移的影响可以忽略（镜MOSTs有足够的Rds）。如果u有任何问题，很容易给我发送私人讯息。我没有能够在工作中讨论。

 

[shock369]

我有一个问题whitch tranzistors模型支持匹配分析麦汁在弱反转tranzistors吗？