插入损耗随相移相器

L

lexxvn

Guest
大家好,

我是在芯片上设计使用超材料相移的一种传输线,相移器可以通过改变一个积极的电感器和一些moscap价值。它可以提供一个相移90度(在)24Ghz(我想要的频率),最低插入损耗= 2dB的。但问题是插入损耗变化)与(从2dB的相移
, 以8dB的。我真的需要你们的帮助对2个问题:
1。是否在插入损耗变化影响的相控阵得克萨斯州的性能/接收?
2。是否有技术
, 可以减少这种变化。

请依赖,非常感谢你!

 
听起来像您的设计需要一些更多的工作。是你的组件Q太低,或者是阻抗匹配只是很小的某些阶段的变化不好?

 

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