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lexxvn
Guest
大家好,
我是在芯片上设计使用超材料相移的一种传输线,相移器可以通过改变一个积极的电感器和一些moscap价值。它可以提供一个相移90度(在)24Ghz(我想要的频率),最低插入损耗= 2dB的。但问题是插入损耗变化)与(从2dB的相移
, 以8dB的。我真的需要你们的帮助对2个问题:
1。是否在插入损耗变化影响的相控阵得克萨斯州的性能/接收?
2。是否有技术
, 可以减少这种变化。
请依赖,非常感谢你!
我是在芯片上设计使用超材料相移的一种传输线,相移器可以通过改变一个积极的电感器和一些moscap价值。它可以提供一个相移90度(在)24Ghz(我想要的频率),最低插入损耗= 2dB的。但问题是插入损耗变化)与(从2dB的相移
, 以8dB的。我真的需要你们的帮助对2个问题:
1。是否在插入损耗变化影响的相控阵得克萨斯州的性能/接收?
2。是否有技术
, 可以减少这种变化。
请依赖,非常感谢你!