Jul 4, 2011 #1 S suria3 Guest 嗨，大家好，我设计了一个3.3V电源的LVDS驱动器。我曾用的驱动程序设计的1.8V晶体管的电压来帮助它的工作空间限制和罚款。现在，我有我的设计问题，当我与斜坡上升时间为10ns的电源从0V到3.3V。从瞬态仿真我注意到，我碰到的晶体管超过1.98V的电压击穿的一些问题。我的问题是，我不用担心这个问题，由于晶体管的击穿坡道，或者是正常的，而这打破了电源电压斜坡。请解释。谢谢，苏利亚。
嗨，大家好，我设计了一个3.3V电源的LVDS驱动器。我曾用的驱动程序设计的1.8V晶体管的电压来帮助它的工作空间限制和罚款。现在，我有我的设计问题，当我与斜坡上升时间为10ns的电源从0V到3.3V。从瞬态仿真我注意到，我碰到的晶体管超过1.98V的电压击穿的一些问题。我的问题是，我不用担心这个问题，由于晶体管的击穿坡道，或者是正常的，而这打破了电源电压斜坡。请解释。谢谢，苏利亚。
Jul 4, 2011 #2 D DenisMark Guest 10 ns是太快了。检查与不低于1us的坡道少。例如片供应10uF的电容，上升时间1微秒到3V，所以requered电流I = C（DU / DT）= 30A太多。真的坡道超过1微秒慢。
Jul 4, 2011 #3 S suria3 Guest [报价= DenisMark] 10 ns是太快了。检查与不低于1us的坡道少。例如片供应10uF的电容，上升时间1微秒到3V，所以requered电流I = C（DU / DT）= 30A太多。真的坡道超过1微秒慢。[/QUOTE]丹尼斯，由于10ns的速度非常快，我没有为10us档和运行仍然有故障的问题。然后我运行了它在100us的坡道和故障是没了。所以，我想知道，是100us的太缓慢上升的斜坡，我们知道，外部电源过滤器将有10UF并加盖这将减缓电源初始化。谢谢，苏利亚
[报价= DenisMark] 10 ns是太快了。检查与不低于1us的坡道少。例如片供应10uF的电容，上升时间1微秒到3V，所以requered电流I = C（DU / DT）= 30A太多。真的坡道超过1微秒慢。[/QUOTE]丹尼斯，由于10ns的速度非常快，我没有为10us档和运行仍然有故障的问题。然后我运行了它在100us的坡道和故障是没了。所以，我想知道，是100us的太缓慢上升的斜坡，我们知道，外部电源过滤器将有10UF并加盖这将减缓电源初始化。谢谢，苏利亚
