方程功率MOSFET栅氧化层击穿电压

D

darkseid

Guest
嗨,有什么公式来计算最大栅极电压可应用于无氧化层击穿功率MOSFET的栅极,比其他的通用方程式为:E =第V /弓形虫问候Darkseid
 
就是这样,只有你不知道Ecrit(除非生产商喜欢分享从试验到失败的详细资格赛的数据),你不知道在关闭状态(即耗尽区的脖子,下降V更多或更少)和弓形虫并不总是要么共享。该生产商告诉你什么,他们将代表,除此之外,它在你的了。他们设计的时候都是这样,罗恩在当你打的VGS(最大),所以没有真正的理由去在上面。
 
栅氧化层击穿电压应取决于薄膜的品质和密度。
 

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