是PMOS管泄漏少相对于相同评级NMOS管？

[sivakumar_tumma]

我听到“在PMOS管的渗漏是比较少NMOS管相同的评级。”

是否正确？若有人能解释的理由是..

Thanx ..

 

[gevy]

关态泄漏是NMOS和PMOS平等在我的技术。

 

[Guest]

这主要是由于多数载流子迁移有关负责....

 

[Guest]

电子具有较高的流动性比洞。

 

[forkschgrad]

[No message]

 

[Guest]

还有我知道在电子和空穴的流动性差异。但它到底是怎样？同一等级的
， 应在PMOS和NMOS大小的变化。因此
， 该领域将有所不同
， 这可能影响渗漏...

我不知道如何为同一等级的漏电流会。有谁能解释有关细节方面的影响，流动性效应和任何其他的影响？？？Thanx ...

 

[sivakumar_tumma]

渗漏的主要原因是不应该发生转变...而不是变电场....由于能源由于温度或碰撞

以面积增加进行这种过渡电子数的增加....电子的数量使增加用于NMOS ....

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

[No message]