晶体管手指-跨布局

[HBK]

在一些条款作出解释
， 大型晶体管的宽度可分为以数量的手指
， 但应小于

ñ“（1月5号至1月10日）1/gm
其中n是否定的。任何人pls.explain的fingers.could我如何跨是与晶体管的手指。

 

[sutapanaki]

在拉扎维的“模拟CMOS集成电路设计查询”页635。这样做是为了使从手指比噪音更小的晶体管栅极电阻的特马尔反映噪音大门口。

 

[Guest]

[No message]

 

[penghan]

但在P635，
“在低噪声应用，栅极电阻必须1 / 5至1 / 1/gm 10”。
这是“门抵抗”，而不是“没有手指。”。
那么谁是错的？

 

[sutapanaki]

这些是相关的。如果你一个手指一个晶体管瓦/ L，然后门电阻（宽/长）* Rpoly -其中Rpoly是材料的薄膜电阻。如果你现在有n个手指的晶体管一样，你门（宽/荷兰）* Rpoly，阻力只是因为你并联手指。

 

[guamak_menanak]

如果我没有错...
使用多手指似有更大的paracitic电容...

是真的吗？

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_eek.gif" alt="震惊" border="0" />

 

[rambus_ddr]

它应当更寄生电容，因为漏极和源可以共享。

 

[Colbhaidh]

另一本（这是设计师经常忘记参数），是非常大的晶体管的特点
， 在不正确的模型。工厂通常体现于出约20um宽度推算当时在香料的性能（测试芯片的特性很少去大于此）。该模型是不正确往往在巨大的L或W，所以如果你设计的输入与40微米或东西，增益可能会远远低于您认为
， 导致出现偏移运算放大器
， 看起来像匹配的错误。
此外，任何一个小潮气量从metallisation流程的大型设备将达到（较大的天线
， 买收费），使匹配的问题也可能会发生。

多指器件可能的情况下更好。

 

[rambus_ddr]

是的，当我们使用反比马鞍山（宽“<L)或大型ratio(w>”长），我们经常使用几个晶体管系列
， 每个晶体管瓦特和L均符合型号最大。和分。W和L降至保证模型的准确性。

 

[omsi]

通常，
我们说
， 每个手指电阻应不低于其跨导逆更大。

这是因为收益的问题。