有关multi_finger结构---如何奇怪的问题！

[sunjiao3]

嗨，亲爱的。
我遇到一个奇怪的multi_finger结构问题。在模拟了滞回的比较，我发现滞后窗口的宽度和错配的容忍是密切相关的手指数目。此外，即使手指与相同的数字结构，有不同的仿真结果。例如，一个NMOS管，这是10月2日，是depatched分为2 * 5 / 2 2手指或2的MOS晶体管的尺寸每1 5 / 2。结果是不同的。为什么？
我知道这是关系到物理学的MOS晶体管。因此，可以请人对这个问题作出解释。BTW，在比较低的频率工作，因此，在常德和皮质不那么重要，在我看来。
此外，有没有关于这一主题的论文集中？我想知道的一些细节。
非常感谢。

 

[news]

<a href="http://www.komputerswiat.pl/poradniki/programy/paint-shop-pro/2011/04/szybkie-poprawianie-zdjec.aspx"> <img align="left" src="http://www.komputerswiat.pl/media/2011/110/1847046/psp-zaj-nowe.jpg" /></a> Aparatem cyfrowym robimy na ogół bardzo dużo zdjęć naraz, niestety - rzadko są one doskonałej jakości. Na szczęście nie trzeba poświęcać wiele czasu na ich poprawianie.<img width='1' height='1' src='http://rss.feedsportal.com/c/32559/f/491281/s/147bf2bc/mf.gif' border='0'/><br/><br/><a href="http://da.feedsportal.com/r/101090880598/u/0/f/491281/c/32559/s/147bf2bc/a2.htm"><img src="http://da.feedsportal.com/r/101090880598/u/0/f/491281/c/32559/s/147bf2bc/a2.img" border="0"/></a>

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[rfsystem]

共同的理解是
， 总闸区模型阈值和电导率不匹配。如果您使用的自动分析
， 如不匹配。幽灵它使用不匹配的过程模型中的文件设置。幽灵可能要么不考虑M“1或使用
， 而不是在与M网表单一实例”一并联一个实例数。自动化的错配分析
， 然后要总结的实例。所以
， 请看看如何配paramters的推导。

 

[Guest]

[No message]

 

[sunjiao3]

在这里，我没有使用的幽灵自动匹配分析。我只是改变了差分对一个尺寸。如果我使用的5％左右的错没有手指，滞后消失。然而，随着手指的使用，滞后甚至连150％（当然依然存在，如此巨大的不匹配是不可能的现实。）
论文或任何关于这一主题的书籍？

 

[rfsystem]

如果您更改差分对的规模，这是否意味着改变的一个对称配对的实例吗？还是你意味着改变的大小全部输入相关设备？

 

[sunjiao3]

rfsystem，我指的是前者。

 

[skal81]

您应该检查您的香料模型文件。在BSIM3有不同的参数设置在W和L differents
这意味着
， 与W = 10使用一个阈值电压等价值一组晶体管，
和W = 5手指= 2使用另一种。
此外更多的参数
， 调整根据W和湖因此
， 导致不同的结果
， 使用手指或并行的晶体管。
如果你想看到的信息
， 请参考BSIM文件。

反正我认为最好是输入参数
， 这将是最接近的布局。因此
， 我personnaly不使用W = 100或更多，但糯= 5，手指= 2和10次并行晶体管。
但要carefull在并联晶体管。使用m参数。如果你真的把平行的原理它增加了节点的数量
， 使模拟慢。

 

[sunjiao3]

skal81，非常感谢你的enlighting我就这一议题。
但是，还有一点我想在这里提到。正如你所说，用手指或平行晶体管模拟后可能导致不同的结果。因此，怎样写网表或图表需要我们深思。通常，这些布局2种方式的差异被认为是他们的常德和皮质颗粒。因此，有人告诉我：“不会有他们之间的许多差异在低频率。”然而，在模拟，我发现
， 在部分区情况下，模拟结果是不同的。Atention，我用同样的手指。例如，对于胡= 10晶体管，我用了2个手指和w = 5，或晶体管，每个晶体管2一个手指，瓦特= 5。这2种方式的手指是相同的：2 = 2 * 1。因此，他们对栅电阻理论上是相同的。那么，何来在直流模拟不同？

 

[һ]

skal81向你解释

报价：

and so
, and W=5 finger=2 use another.
这意味着，与W = 10使用一个 阈值电压等
价值一组，和晶体管糯= 5手指= 2使用另一种。

 

[rfsystem]

对不起
， 我也糊涂了。余thougth该讨论的是在不匹配的差异！之间的区别不是韩元〜西2 *米马鞍山的宽度可以看出效果的有效宽度的打印输出。但是
， 这应该只有一对不匹配的结果非常轻微的影响。

请clearify！

 

[sunjiao3]

rfsystem，这是不是错。在这里，没有差分对左右的交谈。重点是不同的仿真结果我得到使用
， 在布局的MOS晶体管不同的安排。它是关于不同的手指和调度。

 

[skal81]

由于一级方程式管理公司指出
， 区SPICE模型参数也受到W和湖我只是说Vth的，但实际上所有的参数，更多或更少。因此
， 难怪你的DC和AC仿真结果的变化。
所以
， 真正做您的示意图亲如你做你的布局。首先你会得到更准确的模拟结果，其次在做布局和LVS会比较容易：Ḏ