C
ccw27
Guest
有谁知道这两个1.5V的NMOS和PMOS管在联电0.15进程的每流明栅极电容？看来我无法在找到的技术设计手册。
谢谢
谢谢
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G
Guest
Guest
[No message]
J
jiangwp
Guest
该模型是BISM3？
如果yeath，您可以参考的关系BISM3参数和联华电子0.15过程模型。
另一个方法
， 就是由联华电子0.15工艺工程师它。
如果yeath，您可以参考的关系BISM3参数和联华电子0.15过程模型。
另一个方法
， 就是由联华电子0.15工艺工程师它。
C
ccw27
Guest
酵母模型是BSIM3。能否请您详细了解更多吗？
谢谢
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Y
yeewong_su
Guest
您可以检查它的SPICE模型文件
F
flushrat
Guest
run simulation and find the cap in .lis file
G
Guest
Guest
Theoritically，你可以从你的BSIM 3对模型文件下列参数。
毒素（这是氧化层厚度）米
乔夫-多圈的电容。男/女
从弓形虫，可以计算出考克斯= eps0考克斯* epsSi /毒性
在esp0 -介电常数的可用空间= 8.8e -14 F /厘米
espsSi -二氧化硅介常数。
然后
， 你可以得到按经营区域全门第。
但最好的方法是模拟和运行在。待检查文件。这解决了计算问题
， 这是更准确
毒素（这是氧化层厚度）米
乔夫-多圈的电容。男/女
从弓形虫，可以计算出考克斯= eps0考克斯* epsSi /毒性
在esp0 -介电常数的可用空间= 8.8e -14 F /厘米
espsSi -二氧化硅介常数。
然后
， 你可以得到按经营区域全门第。
但最好的方法是模拟和运行在。待检查文件。这解决了计算问题
， 这是更准确
C
ccw27
Guest
在哪里。待文件位于何处？我使用Cadence的幽灵
谢谢
谢谢
G
Guest
Guest
如果您使用的是从模拟艺术家/ Affirma幽灵，您可以打开结果---->“打印------”直流操作点
， 然后选择您要晶体管的栅极电容测量。否则，如果你正在从控制台的幽灵，你可以去element.info文件或dcOp.dc文件
， 开放的结果浏览器
， 然后选择您要晶体管的栅极电容测量。否则，如果你正在从控制台的幽灵，你可以去element.info文件或dcOp.dc文件
， 开放的结果浏览器