模拟微带阵列的IE3D使用周期边界

[ILEVIE]

我试图模拟IE3D微带阵列采用周期性边界。

对于单个元素模拟传递美好
， 但是当我插入周期边界模拟给我的输入阻抗和S11的正面价值观的实部[分贝负值]。

我要补充一点
， 我的阵列模拟有如此厚的基板之间存在着较大的要素耦合（约-15 [分贝为S12的]）。

究竟有没有对在细胞间的耦合限制
， 以便数组的解决方案
， 使用周期边界条件不能衔接？任何人familliar这种类型的问题？

谢谢您。

 

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