毫无疑问

[adinand1024]

在PN结二极管，如果我们公司的P和N端（或只是任何一方）掺杂浓度，会造成哪些影响的（障碍）的电位差的基础之上？（会否公司。或12月）

 

[catur_3414]

公司

 

[lordsathish]

随着载流子浓度增加，当有整个二极管将这些电荷载体在对面的地区
， 由于浓度梯度采用任何潜在...由于掺杂的增加
， 自然更多的指控迁移...因此
， 内置的潜力
， 由于这些费用的增加而发展...

 

[Guest]

它增加了....

 

[Guest]

作为第掺杂浓度增加耗尽宽度的增加
， 增加的潜力比较困难。

 

[praveenbarupati]

交界处的潜在痴呆=万t / Q研究稀土（钠*钕/（镍）^ 2）

由于掺杂的密度增加了junc潜力增加

 

[rajanarender_suram]

是的，它增加

 

[santom]

随着掺杂密度的增加，增加的电荷载体导致钯的增加。

 

[santoshv82]

这将增加，形成depleion地区将在低浓度一侧较大。

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

大家好，

隔离墙宽度于兴奋剂的highier一边将减少....

西
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[raghuram_msc]

[No message]