测量局的SRAM（电压传输长）与HSPICE的

[fgomezp]

嗨，

我新的HSPICE和数字电路设计的晶体管的水平。我试图创造一个晶体SRAM单元职业训练局（电压传输特性）。这是我的模拟网表，

MM5中Q Q优- comp内径内径PMOS的糯= 6 L = 2的展望= 0
Q Q优MM1 - comp接地接地NMOS管糯= 3 L = 2的展望= 0
MM6调Q comp q内径内径PMOS的糯= 6 L = 2的展望= 0
MM2组调Q comp q接地接地NMOS管糯= 3 L = 2的展望= 0
MM4的调Q comp糯β- comp接地NMOS管糯= 3 L = 2的展望= 0
百万立方米b糯q接地NMOS管糯= 3 L = 2的展望= 0

最好的办法我能想到的是刺激这两个位线（B和B - comp以上），其三角形周期函数的测量与反分析输出。现在，我不知道这是100％，职训局应通过直流分析获得正确的。不过，我不知道该怎么做的DC分析
， 因此我想职业训练局。任何帮助/暗示将是真正的认识。

谢谢，

费尔南多。

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

那么，做一个DC分析。你可以保持在VDD或GND的投入之一。其他输入voltge可以从0横扫VDD和阴谋
， 然后输出。我不知道这是你寻找的是完全相同
， 但我希望这有助于。

在香料，你可以写甲板的DC

。直流输入电压<initial值
> <final值
> <step大小
>

 

[lastdance]

在MS坡道一样好直流。
持有字线W高。
使用湾三角信号离开β- comp浮动。