深N BJT的一个BGR的？

[jt_rf]

您好，我想在DNW BJT的，像我做其他的MOS晶体管。它是垂直PNP型晶体管。的那一刻，我把里面的DNW的晶体管，晶体管是没有检测到LVS的运行。这个解决方案是什么？没有任何人面临同样的问题吗？？你怎么解决呢？？预先感谢。至于，JT。

 

[fixrouter4400]

你工作是什么样的技术过程？据我所知，如果横向PNP晶体管有它自己的亿客层，它会接触到DNW层... ...这意味着将短路。干杯

 

[varma_cs012]

好友... ...我不知道我们可以把我们自己的DNW作为我们的BJT的... ...据我所知，我们将获得从代工本身BJT的... ...为什么你的LVS是不及格的一件事情是在LVS的.....当我们定义一个设备使用交互层，我们将定义.. 。如果我们不遵循的确切设备tabel ....显然，我们的LVS woldn't通过... ...我的意思是不会承认...!!!

 

[leo_o2]

你必须改变自己的LVS的命令文件。请口径手册。

 

[santhua]

您好，这是一个迟到的的答复，但我想我会扔一些轻。你不能把BJT的内深nwell.it性能会改变，如果这样做，因此它没有检测到。解决方案1。如果是需要隔离衬底隔离thenuse的一个标志层，以避免软检查。 2。如果需要的隔离噪音隔离，然后沿深亿客路径亿客围绕BJT的路径。

 

[jagadesh]

您好，我想，您的BJT的亿客和DeepNWELL越来越短路。这就是为什么设备没有得到认可。你能告诉我们的目的，为什么把下Deepnwell，吗？此基础上，我们可以看到如何前进..

 

[wangyufn]

我同意，最好是首先确保，如果您的晶体管可以在DNW lacated。在一些技术，如IBM的SiGe，它是真实的，晶体管在DNW。其实，DWN的使用，以形成一个孤立的p型衬底。如果它肯定是你的结构是正确的的，我建议检查LVS的脚本。当一切必要定义的层是在你的布局有它只能工作的权利。