热载流子效应的问题是有关

[sirricky]

如何剂量LDD结构的工作，避免在MOS热载流子效应？？不是很清楚，感谢

 

[vijay.kumarreddy]

我认为LDD结构，以尽量减少热载流子效应。

 

[safwatonline]

低掺杂减少electeric领域，从而减少热载流子效应Ÿ没有使用所有低掺杂扩散，减少寄生电阻

 

[huojinsi]

下面的说明可以澄清你的疑问，它是在“模拟版图的艺术”援引。 [报价]强电场导致整个捏过饱和的MOS晶体管通道热载流子退化。电场强度减弱，如果枯竭地区可以有所扩阔。耗尽区在传统的晶体管，不能侵犯任何重大程度上为重掺漏。如果是比较轻掺杂漏极扩散，耗尽区扩展到漏，以及进入通道和电场强度将有所下降。这种轻掺杂漏（LDD）的晶体管能承受比大大高于漏 - 源电压可以传统的单一掺杂漏极（SDD）设备[/QUOTE]

 

[qiushidaren]

液晶=横向双扩散或轻掺杂漏极？我已经有点糊涂。

 

[shaikhsarfraz]

在液晶掺杂较低。降低掺杂浓度，可以减少热电子效应