片上稳压器

J

jayateertha.r

Guest
嗨,

我设计一个稳压器具有负荷片上。

虽然我有一个很大的过片式电容器(4.7uF),债券垫进来的电感系列影响瞬态负载调节。我越来越大的峰值。

如何获得摆脱这个问题?这必须是一个共同的问题
, 因为许多芯片将有一个片上负载片上稳压器。

是否有可能eleminate的offchip帽
, 建立一个稳压器完全片上?

预先感谢。

关心,
杰伊。

 
是的,当然,TI在没有offchip第稳压器,数据表编号。是TPS73101,这是一个无盖稳压器

 
rfzheng

感谢您的答复。我走过租置计划的一部分没有。它使用NMOS管传递线性元件。

我只是想,如果有一个PMOS管更简单的解决方案通过与一些小片上的补偿(300pF)第技术排序元素。

关心,
杰伊。

 
为更好地复制到更大的架构为上限
, 以避免负载稳定问题
, 但它需要一个更大的驱动程序

 
副本偏见使用NMOS管驱动程序问题
, 但没有稳定的压降将超过1佛蒙特州更多
, 如果你不使用cargepump提高监管OTA的电源电压。

关心,
腾德拉Dhasmana。

 
jayateertha.r

ü是否有解决问题结合电感?我有同样的问题
, 以及,但看起来我们是解决不了的。
然而,现实是我没有看到
, 在现实硅穗
, 我现在仍然抓头

 
也许你解释detailly关于“开尔文连接”,谢谢!

 
你有多大串联电感?也许3 nH的?你是怎样沉重负荷?您可以降低您的整体感作出平行薄垫脚和/或技术的多孔板中详细解释“塔的模拟设计的艺术”阿兰黑斯廷斯。你可以上传你的平面图?我可以帮你创造一个更美好的。

如果你想一无电容LDO稳压器,你可以把它同时使用有源米勒电容倍增techique由林孔开发的莫拉和从米利肯补偿技术。这些技术将带你进入一个100 pF或更小片上帽。

哥伦比亚和平委员会!

 

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