电气过载（EOS）损害的电源组件

[DoctorProf]

开关电源开关tranients坏。这些瞬变可以在控制/驱动电路产生过载事件。 EOS是典型的领域回报最高的原因之一。与我交谈过的几家公司，该国约20％至30％来自外地的总回报EOS帐户。我一直在寻找如何使我们的部分更强大的EOS事件负责。我评价最高的罪犯，发现最常见的方面是相关的EOS高电流switchin节点。这个节点的引脚驱动或监控此节点上的电压是最susceptable EOS条件。我想获得其他国家的人民EOS损害的来源是什么意见。据我的经验，EOS损害大多数是关系到一个连接电源控制器/驱动器IC元件的电路板布局或差，差的选择。增加电容/电感产生的开关噪声，导致conponents细分，并最终摧毁组件。谢谢，Dr.Prof

 

[Btrend]

1。射穿偏高偏低马鞍山将烧毁两个马鞍山2。死区时间过大，将燃烧的MOS 3下降偏低。如果偏高MOS和偏低的MOS有不同的开启和关闭延迟，上述两点，应仔细检查。

 

[leo_o2]

什么的开关电源的那种？什么应用？我想更多的功率输出电路会更容易被损坏。

 

[DoctorProf]

感谢您的答复，但我不关心他MOSFET，。我更关注的是关于电路/ MOSFET驱动器由开关过程中产生的瞬态损坏的控制器。该参考设计不会导致失败，但并不是所有的顾客使用他们的供应参考设计。作为一个例子，英特尔微处理器的电源控制器采用了4相PWM控制器驱动MOSFET的4套。输出编程，1.3和2.5之间，该芯片是由5伏的ATX电源供电伏。显示器向上的电源电压的PIN得到EOS损坏。它不应该看到以上的处理器核心电压，但尚未被炸毁表明，它的输入电压超过5伏或远低于地面。这是类型的问题，我想追查。