电流脉冲

B

bunalmis

Guest
为什么我看到10A电流脉冲?

这是不是问题的体二极管的反向恢复时间?但2uS太长。

马鞍山IRFP460
卵黄= 15V的
内径= 300V
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Termin "snowshoe" odnosi się do metody jaką spamerzy wykorzystują wysyłając swoje wiadomości przez duże obszary Internetu, ciągle utrzymując je na powierzchni, tak jak to robią rakiety śnieżne.

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可能只是一些寄生电容?
类似于C =吨* Iavg /内径= 33nF
是确切citcuit?
这是你的测量和模拟结果?

 
负载是纯incductuve,这是准确的应用电路。
借鉴东莨菪碱屏幕。我没有显示莫斯驱动程序。

 
感性负载,但电线和功率FET的不是,也许
, 这是问题。输入电容这种场效应管的多4nF的。
可能会有这么多,是FET驱动器打开两个场效应晶体管对2us,他们只是吸收电流为平地?

私人秘书可被这是一个概率的错?校准或什么?

 
这可能是MOSFET的情况下当H是开放的,由于米勒效应的L MOSFET的全面开放以及-从而降低桥梁部分短期ħ晶体管源到地面。这需要时间来充电蜇晶体管的DG和GS电容,然后栅极电压为0来
, 由于MOSFET驱动器的输出阻抗。
您可以通过测量检查对L晶体管栅极电压。

我认为这是好事
, 减少MOSFET驱动器输出阻抗。

 
我使用公路联合会类型的MOS准备好驱动程序。系列门只有10欧姆的电阻和栅极电压太干净。

我打开探头
, 我看到错误。

我现在的探头使用小电流感应电阻器的目的。这电阻wirewraped。一个小的晶体管从电流传感电阻的偏差。
电感的误导作用
, 我这个电阻。

我会做这种理论的确定性一些测试。

 
你如何衡量一个晶体管的电流(如果可能的话在座图表),为什么不使用晶体管
, 如果范围可以直接连接到电阻(电流传感器)?

它还可以为已故蜇案件晶体管开关切换,但你说该驱动阻抗足够低。反正什么是你的驱动和最高频率可以处理过渡参数?

 
电子熔丝按照目前的测量单位的产出。因此
, 目前的测量circuts包括晶体管。(电流探头有自己的供应)

我使用两个独立的驱动信号
, 我用IR2106。

IR2106有H和L侧驱动和投入并不常见。

 
换个电流探头连续负载,并提供范围输出。然后重复同样的老晶体管流失。
然后
, 我们可以找到在这个currrent源于。

 
如果这是一个真实的瞬间
, 而不是由于在您的探针电感,那么你的最初的假设可能是正确的。这种电流峰值可能是由于您的反向恢复二极管电流低总结与输入电流
, 是因为对irfp460体二极管(860nS @ 25℃)穷人恢复特性高。

为了减少低二极管的效力
, 使用碳化硅二极管或特定二极管功率因数校正,或减慢你最开关打开,或者是两者的结合。推荐的过渡时期的3倍恢复(花环率你的二极管)。

为了应付体二极管,阻止将与您漏系列肖特基他们。看到:
代码:http://www.geocities.com/tjacodesign/tesla2/tesla2.html
 
@ max0412

报价:

你的电感饱和?我不吨真正看到你可能会产生大量反电动势的坡道的建议,在您的电感电流?
我可能失去了一些东西,但。因为如果这样做的话你的顶部和底部二极管场效应管会失败。

 
你到“FREDFETS”看上去继承人1(BUZ30A):
自愿离职计划:200伏编号:21A条导通状态电阻:0.13栅极电压: / - 20V的
花环率:180ns Qrr:1.2uC
代码:http://www.infineon.com/upload/Document/cmc_upload/documents/012/1595/Buz30aG_Unprotected.pdf

 
IRF740怎么样?
减振钢板基本400V
的RDS(on)0.55Ohm
最大编号10A条
花环率反向恢复时间360纳秒,中频= 10A条
Qrr反向RecoveryCharge 2.9立法会
的di / dt = 100A/ľs

你可以使用国际整流器选择指南
, 选择最好的晶体管根据负载要求:
[网址]通过https:/ / ec.irf.com:/ v6/en/US/adirect/ir?加利福尼亚= eneNavigation&ñ = 0 4294841672 4294926293 [/网址]
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有几种MOSFET,能够有更好的二极管的恢复特性
, 你一定要涉水通过制造商的数据资料。不幸的体二极管恢复特性中未列出的参数搜索。

 

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