的错配分析

[chang830]

嗨，
你分享你如何执行设计不匹配分析的经验？

此外，如果您的PDK不包含不匹配的模式，你如何评价不匹配特征特性？

谢谢

 

[aomeen]

喂

如果ypur设计套件doesn't支持不匹配的模式，您可以运行角落分析。在模型卡
， 你会发现所谓的“科”从埃德-东西，模型文件...，你会发现三个文件，为RF模型，模型为基带
， 多出一个文件一个接一个...，在每一个你会找到每个模型的NMOS当前sectione.g：正面典型，快或慢。和无源器件：意思是说，最大或最小。你可以为最坏情况下的弯道组合。例如
， 所有的NMOS管与民无源器件等快。

如果不匹配模型与支持与例如“nmos13_mis”错误，或类似的结束情况下，使用蒙特卡洛模拟...

 

[chang830]

aomeen说：

喂如果ypur设计套件doesn't支持不匹配的模式，您可以运行角落分析。
在模型卡，你会发现所谓的“科”从埃德-东西，模型文件...，你会发现三个文件，为RF模型，模型为基带，多出一个文件一个接一个...，在每一个你会找到每个模型的NMOS当前sectione.g：正面典型，快或慢。
和无源器件：意思是说，最大或最小。
你可以为最坏情况下的弯道组合。
例如，所有的NMOS管与民无源器件等快。如果不匹配模型与支持与例如“nmos13_mis”错误，或类似的结束情况下，使用蒙特卡洛模拟...

 

[renwl]

如果没有准确的加工数据，仿真是没有用处的。

 

[Guest]

[No message]

 

[Karthikeya]

嗨，
为寻找在MOS晶体管不匹配，阈值电压不匹配的主要关切
， 据我所知。这可以通过使用发现的关系，Σ= Avt /开方（宽*长*公尺）theoritically其中M是手指数目。这是1σ错配...等等回合设计窗口ü可以选择不同的高斯分布像ą3σ。你可以观察不匹配模拟贡献个人通过引进设备
， 在该设备1σ不匹配。

关心

 

[chang830]

renwl说：

如果没有准确的加工数据，仿真是没有用处的。