的饱和

V

vbhupendra

Guest
笏罗恩是在饱和区的表达?或如何计算饱和区呢?

 
我不认为在饱和区可以计算出来。晶体管的β很大的差别,...您将要看到的Vce第V / S的集成电路阴谋
, 以确定基极电流值来决定饱和区。

 
嗨,

暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。该图与反坡会给你在饱和罗恩。由公式罗恩= 1 /λIds。

谢谢,
苏利亚

 
suria3说:

嗨,暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。
罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。
该图与反坡会给你在饱和罗恩。
由公式罗恩= 1 /λIds。谢谢,

苏利亚
 
您好Surianova,

正如你所说
, 在饱和区域目前,IDS将是恒定的
, 甚至讥变化,但由于短通道效应的存在/拉姆达的影响,反正你不会平坦的曲线。所以,罗恩价值可以measureable正如我。其他的意见都是欢迎的。如果即时纠正我错了。谢谢Surianova。赋予的斜坡,λ= 1/Ids *ΔIds/ΔVds。所以,我想我们一旦得到斜率值是λ,我们可以计算出目前知道的ID =1/λIds的罗恩。

谢谢,
苏利亚

 
您好Suria3,

方程(罗恩=1/λIds)和美国已是有效的
, 当我们考虑沟道长度调制。(IE)的电阻时pinchoff occurs.at pinchoff漏电流比饱和。因此
, 我认为乌拉圭回合饱和阻力声明是无效的。和morever ü使用的符号不corect。ü应使用(而不是罗恩(Ron)小)

关心
拉吉

 

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