V
vbhupendra
Guest
笏罗恩是在饱和区的表达？或如何计算饱和区呢？
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G
Guest
Guest
我不认为在饱和区可以计算出来。晶体管的β很大的差别，...您将要看到的Vce第V / S的集成电路阴谋
， 以确定基极电流值来决定饱和区。
， 以确定基极电流值来决定饱和区。
S
suria3
Guest
嗨，
暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。该图与反坡会给你在饱和罗恩。由公式罗恩= 1 /λIds。
谢谢，
苏利亚
暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。该图与反坡会给你在饱和罗恩。由公式罗恩= 1 /λIds。
谢谢，
苏利亚
G
Guest
Guest
[No message]
S
surianova
Guest
suria3说：
嗨，暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。
罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。
该图与反坡会给你在饱和罗恩。
由公式罗恩= 1 /λIds。谢谢，
苏利亚
嗨，暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。
罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。
该图与反坡会给你在饱和罗恩。
由公式罗恩= 1 /λIds。谢谢，
苏利亚
S
suria3
Guest
您好Surianova，
正如你所说
， 在饱和区域目前，IDS将是恒定的
， 甚至讥变化，但由于短通道效应的存在/拉姆达的影响，反正你不会平坦的曲线。所以，罗恩价值可以measureable正如我。其他的意见都是欢迎的。如果即时纠正我错了。谢谢Surianova。赋予的斜坡，λ= 1/Ids *ΔIds/ΔVds。所以，我想我们一旦得到斜率值是λ，我们可以计算出目前知道的ID =1/λIds的罗恩。
谢谢，
苏利亚
正如你所说
， 在饱和区域目前，IDS将是恒定的
， 甚至讥变化，但由于短通道效应的存在/拉姆达的影响，反正你不会平坦的曲线。所以，罗恩价值可以measureable正如我。其他的意见都是欢迎的。如果即时纠正我错了。谢谢Surianova。赋予的斜坡，λ= 1/Ids *ΔIds/ΔVds。所以，我想我们一旦得到斜率值是λ，我们可以计算出目前知道的ID =1/λIds的罗恩。
谢谢，
苏利亚
R
rjshmadala
Guest
您好Suria3，
方程（罗恩=1/λIds）和美国已是有效的
， 当我们考虑沟道长度调制。（IE）的电阻时pinchoff occurs.at pinchoff漏电流比饱和。因此
， 我认为乌拉圭回合饱和阻力声明是无效的。和morever ü使用的符号不corect。ü应使用（而不是罗恩（Ron）小）
关心
拉吉
方程（罗恩=1/λIds）和美国已是有效的
， 当我们考虑沟道长度调制。（IE）的电阻时pinchoff occurs.at pinchoff漏电流比饱和。因此
， 我认为乌拉圭回合饱和阻力声明是无效的。和morever ü使用的符号不corect。ü应使用（而不是罗恩（Ron）小）
关心
拉吉