Jul 24, 2000 #3 S suria3 Guest 嗨, 暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。该图与反坡会给你在饱和罗恩。由公式罗恩= 1 /λIds。 谢谢, 苏利亚
Jul 24, 2000 #5 S surianova Guest suria3说: 嗨,暂指定马鞍山或晶体管的罗恩。 罗恩或马鞍山有效输出阻抗可以通过绘制的ID计算队讥曲线。 该图与反坡会给你在饱和罗恩。 由公式罗恩= 1 /λIds。谢谢, 苏利亚
Jul 24, 2000 #6 S suria3 Guest 您好Surianova, 正如你所说 , 在饱和区域目前,IDS将是恒定的 , 甚至讥变化,但由于短通道效应的存在/拉姆达的影响,反正你不会平坦的曲线。所以,罗恩价值可以measureable正如我。其他的意见都是欢迎的。如果即时纠正我错了。谢谢Surianova。赋予的斜坡,λ= 1/Ids *ΔIds/ΔVds。所以,我想我们一旦得到斜率值是λ,我们可以计算出目前知道的ID =1/λIds的罗恩。 谢谢, 苏利亚
您好Surianova, 正如你所说 , 在饱和区域目前,IDS将是恒定的 , 甚至讥变化,但由于短通道效应的存在/拉姆达的影响,反正你不会平坦的曲线。所以,罗恩价值可以measureable正如我。其他的意见都是欢迎的。如果即时纠正我错了。谢谢Surianova。赋予的斜坡,λ= 1/Ids *ΔIds/ΔVds。所以,我想我们一旦得到斜率值是λ,我们可以计算出目前知道的ID =1/λIds的罗恩。 谢谢, 苏利亚
Jul 24, 2000 #7 R rjshmadala Guest 您好Suria3, 方程(罗恩=1/λIds)和美国已是有效的 , 当我们考虑沟道长度调制。(IE)的电阻时pinchoff occurs.at pinchoff漏电流比饱和。因此 , 我认为乌拉圭回合饱和阻力声明是无效的。和morever ü使用的符号不corect。ü应使用(而不是罗恩(Ron)小) 关心 拉吉
您好Suria3, 方程(罗恩=1/λIds)和美国已是有效的 , 当我们考虑沟道长度调制。(IE)的电阻时pinchoff occurs.at pinchoff漏电流比饱和。因此 , 我认为乌拉圭回合饱和阻力声明是无效的。和morever ü使用的符号不corect。ü应使用(而不是罗恩(Ron)小) 关心 拉吉