的CMOS基本问题:饱和晶体管

D

Dinamovist

Guest
我对CMOS器件非常基本的问题。比方说
, 众所周知旁边的公式是什么饱和条件的真正意义??
我知道
, 但渠道获得捏了它从何而来?条件(即讥“栅极电压- Vth)的。
我很清楚这一切会发生什么
, 并希望有直观的了解...
就像我真正看到它的双极晶体管
, 得到饱和时
, 集电极电流不能按照规则β*磅由于潜力有限
, 收集情况。

再说MOSFET的饱和状况...是
, 就在数学中扣除?, 你如何看到
, 如果我们要举一个例子
, 从假设的液体和管道...你照亮我灯泡?
我希望我没有打扰,
非常感谢

 
由于讥=栅极电压- Vgd,如果讥“栅极电压-阈值电压,然后Vgd”阈值电压。因此Vgd无法控制漏电流,漏电流仅控制栅极电压。

 

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