的IBM 0.13微米的CMOS布局的问题。

[jerrymelb]

您好，利用高科技cmrf8sf前有人吗？

我stucked与nfet晶体管（nfet_inh和nfet_rf都没有问题）。我如何连接的B -终端布局
， 地面？我使用nTiedown？

我曾尝试subc，nTiedown，不工作。

有什么建议？谢谢！

 

[jerrymelb]

嗨，大家

难道我说得清楚了吗？

谁能帮助我，好吗？

非常感谢！

 

[Guest]

嗨，

我不知道cmrf8sf技术
， 但无论如何
， 每一个技术需要PTAP连接的NMOS管B端子。
什么是“subc，nTiedown”的接触式？
当您选择您的联系只要确定它只是活跃的领域，接触，M1和植入当然P！Franck.

 

[jerrymelb]

弗兰克。感谢的

这是问题所在，我不知道哪一个是PTAP在cmrf8sf。

Subc是基板接触
， 应该是一个，但不幸的是，它doesn't工作。

干杯
杰里

 

[vbhupendra]

小组续的NMOS

无源互调产物-主动（或pdiff或差异） -货币供应量M1 -孔戴

孔戴用于PMOS小组

NIMP -主动（或ndiff或差异） -货币供应量M1 -孔戴

读您的使用或设备层的形成doc和相应的使用层次。

 

[jerrymelb]

Thanks1
但没有拉皮条或NIMP在图书馆。

我用nTiedown（活跃，续，货币供应量M1）和pTiedown，他们没有工作。

杰里

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

嗨，

1）我想你有你的nfet LVS的问题。你能解释一下这是什么问题呢？
2）这是莫斯出一个深阱的最小间距或类似的（我在布局意味着什么）？
3）您是否尝试金沙仅在测试案例细胞这个nfet？
4）您尝试创建刚才绘制活跃，一些接触
， 并把它连接到正确的网“平面领带”？
如果您没有此工具包中植入它意味着你只需要吸引基板积极创造PTAP层...或者有技巧...应该写在doc某处。
5）尝试在做的工作场效应管相同：nfet_inh和nfet_rf。在布局你应该ptap的地方
， 如果它在工作。顺便说是nfet_inh手段inhereted基板连接？
6）您是否在您的连接示意图的nfet B端子？

弗兰克。

 

[jerrymelb]

嗨，弗兰克

1）这是一个我nfet LVS的问题。报告说
， 乙，码头
， 连接至GND，我认为我有。

2）没有，没有这阱的最小间距。

3）是的，我尝试金沙仅在测试案例细胞这个nfet。这是一个简单的逆变器。

4）是的，我开始尝试这种方法也不起作用。不幸的是，该文件是一个小差。没有多少信息衬底。

5）nfet_inh指inhereted基板的连接。对于nfet _rf，我没有补充澳大利亚国立大学基板方面，它已经建造了nfet_inh英寸，我用阱的最小间距连接PFET的接触和nfet nTiedown。他们都工作正常。

6）我相信
， 我已经连接了在原理图nfet B端子。

谢谢
杰里