的MOS ＆中间件结合布局

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fixrouter4400

Guest
您好人民！

我想请问
， 如果有可能把在布局下一个单元格的金属对金属（妈妈）电容和MOS电容？因为我想在我的布局高密度电容器使用面积减小。

如果是...是有办法获得栅氧化层电容低于妈妈电容器？

任何帮助将非常感谢！

干杯

 
好主意。
我相信-它的功能过于完美硅。
现在请想想，轻型工具-这是否允许有两个不同的设备识别形状重叠
， 甚至其他问题
， 如果终端设备形成形状不同的设备重叠-尽管它们可能属于不同的网络-我认为这将警告/错误非法设备。

 
您好星期六-据我所知
， 如果我
打算 把它放在硅现实就不会有问题....因为妈妈只包括金属从最低到最高的金属...然后马鞍山只有撰写的积极方面以及栅氧化层...

LVS部门将不再是一个问题我想这就像把你的MOS下一堆金属条纹..

我希望你能给我更多的想法...也许我们可以工作
， 这使他们在现实中...

干杯

 
您好
我完成了一个芯片几个月回用金属马鞍山第一个使用金属2/3/4和它的罚款。我们没有的所有设备
， 以表扬他们为轻型但由于电容在同它没有造成问题。
如果我一段时间我
会 考虑它的图片。
K您好人民！我想请问
， 如果有可能把在布局下一个单元格的金属对金属（妈妈）电容和MOS电容？因为我想在我的布局高密度电容器使用面积减小。

如果是...是有办法获得栅氧化层电容低于妈妈电容器？

任何帮助将非常感谢！

干杯

 
您好k_90 -感谢您的输入。这将是不错
， 如果您可以采取一些图片
， 并张贴在这里。

再次感谢的投入。

干杯

 
其聚聚第但是原则是一样的。
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为了解和明确-是我们正在努力实现-我们正在努力使解耦第这将为我们提供更多的容量单位面积是否正确？

请纠正我-如果我错了-我只是写decap -原因是我认为MOSCAPs总是解耦第-基于PMOSCAP或NMOSCAP就必须有一条腿[短路县/
数 ]捆绑任何电源或GND 。电容不同的门电压不同-提供最低限度的价值在通道反演。

我们失去了这一合并-是它的纯双向性质原人力资源部-我们也失去[近]电压独立[当然适用于板时
， 电压不同的是远低于介质的击穿电压] 。正如我们正在努力
， 以实现更大的第-我们将它们添加平行-那里是电压依赖的性质。
MOSCAPs是漏在分波长节点[门泄漏电流] -没有良好的低功耗应用。

我们要去失去一些特点-不是吗？

 
我们还准备这样做这些days.AFAIK ，刚果民主共和国的规则将无法实现。当然
， 这将是美好的芯片测试时。但可靠性将是一个问题的未来。

 
球员，如果我没有记错，有飞利浦（现为恩智浦）专利的这种结构。这就是为什么马鞍山母亲电容不提供任何代工作为一个标准的组成部分。

 
JoannesPaulus写道：

球员，如果我没有记错，有飞利浦（现为恩智浦）专利的这种结构。
这就是为什么马鞍山母亲电容不提供任何代工作为一个标准的组成部分。
 
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