粗变异分析

[dhaval4987]

嘿所有，如果我只是想测试电路在不同的行为角落只是一个粗略的分析，而不是在蒙特卡洛，什么，我应该如何改变参数？据我所知，SS意味着NMOS和PMOS缓慢和FF意味着既快速...但有任何的其他与阈值电压Vth的变化量之间的关系？我的意思是，如果我增加Vthn，什么金额，然后我应该增加SS Vthp？ SF，FS和FF反之亦然如何？此外，当我尝试改变时间在2个或多个参数，如何我知道我的设备在曲线下降？ （例变化的NMOS和PMOS的Vth，然后改变VDD和温度，我怎么确定的操作示例的角落是比FS快或慢，然后SF或更快的SF和喜欢明智的！？）

 

[dhaval4987]

还是让我这样提问。温度和VDD和Vth的，哪一个占主导地位？ - 这将帮助我决定设备的空间，然后基础上的主导地位，我可以做的粗分析在每种情况下。

 

[dhaval4987]

有一个问题：我没有在第一的情况下，所有的条件是典型的典型的VDD，温度，VTH和Leff 3分析。在另外一个，我一直在温度125℃，VDD下降了10％，VTH增加了10％和Leff不变。第三之一，我一直在温度125℃，VDD下降了10％，VTH增加了10％和Leff增加了10％。从技术上说，如果我增加Leff，那么电路的性能减慢甚至更多。但令人惊讶的是，我发现第二第三之一的情况下比慢。斜面明白为什么！？谁能告诉我？