G
Guest
Guest
您好队友，
我需要设计为以下规格硅锗异质结双极晶体管
1。基地运输时间= 0.2ps
2。中相应的方块电阻= 10KOhms /平方米
3。英尺（在真空断路器= 1.5V的）“140千兆赫
4。测试版“= 200
5。BVceo“3V的
上有几个restirctions
1。最大n和p型dopings = 5 * 10 ^ 19 /立方厘米，
2。最大兴奋剂偏低的pn结= 5 * 10 ^ 8掺杂方/立方厘米（以avoide隧道渗漏）
3。最大锗含量= 12％
4。单晶发射我们= 20纳米（或聚承担发射器发射的单晶Si深度为20纳米）
请如果有人能帮助我的，
1。帮助资料，书籍，推荐读物，票据等
2。关于如何启动问题的任何准则
3。其他任何你想提及。
非常感谢，
我将期待着回复。
萨阿德
我需要设计为以下规格硅锗异质结双极晶体管
1。基地运输时间= 0.2ps
2。中相应的方块电阻= 10KOhms /平方米
3。英尺（在真空断路器= 1.5V的）“140千兆赫
4。测试版“= 200
5。BVceo“3V的
上有几个restirctions
1。最大n和p型dopings = 5 * 10 ^ 19 /立方厘米，
2。最大兴奋剂偏低的pn结= 5 * 10 ^ 8掺杂方/立方厘米（以avoide隧道渗漏）
3。最大锗含量= 12％
4。单晶发射我们= 20纳米（或聚承担发射器发射的单晶Si深度为20纳米）
请如果有人能帮助我的，
1。帮助资料，书籍，推荐读物，票据等
2。关于如何启动问题的任何准则
3。其他任何你想提及。
非常感谢，
我将期待着回复。
萨阿德