聚或扩散金属

G

gafsos

Guest
嗨,

一个简单的问题:为什么它不能与聚或diffsion exeple Metal1路线(国民党/聚丙烯)

THX

 
金属1是聚后立即金属层
, 如果1带有巨大的电流有可能是诱导的活性聚将改变该装置的特点.............电子的机会...........

 
嗨,

我谈到这种情况....

Plz我需要回合建议

gsfsos
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我不知道为避免对其他聚比jagadessh说Metal1原因。

但是,在扩散的情况下,金属线
, 以作为门并创建一个寄生渠道。这成了一个问题如果此寄生通道连接两个极性相反的扩散过程。

例如:p一间两个N -井,这就是为什么两个N之间的分离,井要大
, 如果将N -井在不同衬底电位举行。

 
所有Tnanks,

DRC检查通过在这种情况下,荣誉博士Met1,聚不在同一水平,我想知道为什么不recommanded铲除聚Met1 ...?

另一个sugesstions??



gafsos

 
上述原因是正确的。金属多聚进行高电流门可能会成为一个电容的情侣收费
, 影响了设备的行为。此外,金属和聚可以创建路由时
, 寄生在油井设备。

另外一个理由不把路线过分MOS晶体管聚金属
, 在带电粒子和残差金属蚀刻可以留在附近的其余金属线的电介质。这些费用可能会突然改变残差的行为,特别是一MOS晶体管阈值电压。

 
我对这个问题一太,如果我们想减少聚性,我们可以将它连接到直接与货币供应量M1孔,这意味着将直接大门上方的聚路由货币供应量M1。

 
您的应用程序是什么?Principly,应避免与金属线以上的MOS晶体管时期活跃的领域。如果你有一个非常大的晶体管,共同的做法是使用外围人数较多的接触
, 甚至是接触环(不活动区域),以确保对称晶体管栅极连接。

 
没有出现metal1将palced的并行序的大门
, 以减少栅电阻的做法。确保不同的信号线不应过分活跃聚地区路由。

 
门是在布局的一小部分相邻元素相比,

而且非常敏感,所以不建议一般路由任何的曲目传输信号接近它..

即使它的接触,这是摆在它的外层部分关心的...

干杯,

-诀窍,

 
CK815说:

上述原因是正确的。
金属多聚进行高电流门可能会成为一个电容的情侣收费,影响了设备的行为。
此外,金属和聚可以创建路由时,寄生在油井设备。另外一个理由不把路线过分MOS晶体管聚金属,在带电粒子和残差金属蚀刻可以留在附近的其余金属线的电介质。
这些费用可能会突然改变残差的行为,特别是一MOS晶体管阈值电压。
 
okguy,你是完全正确的。我inprecise在我的答复。当然你可以路由或以上
, 可提供数字门金属/晶体管。我只是想模拟。

 
到目前为止,我学到了很多
, 从你的意见!谢谢您!

也许我们可以认为它的可靠性,你知道,门是非常非常重要的CMOS生活,在这里,生活中,我谈到了,主要是参数(IV曲线),如果该参数变化与原来这么多我们认为这是死了。
因此,如果金属层非常接近聚,但门是受影响不大,部分原因是在制造,另一个是使用。因此
, 生活会下降太多,我想!

这是一个伟大的线程!谢谢!

干杯,
亚历克斯

 
感谢球员
我在超大规模集成电路的新领域
上述信息是非常有用的我
谢谢
关心
analayout

 
这是一个原则
, 以避免金属和聚之间交叉,但是你永远不能成功地实现它。即使射频CMOS,这是允许的金属十字聚。下图是在0.18 RF CMOS工艺真实的设备,这是一个射频NMOS管的铸造provied。

仅供参考。
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大家好

我甲肝一个问题。如果在布局,我要连接的一个PFET聚最高上限为2的MOS的大门
, 通过metal1和路由到其他地方进行连接,我相信这不是一个问题
, 因为它不是一个电流通路。请评论。

关心
Brittoo

 
可能出现的问题是不是当前存在的,因为它是一个门码头,而是其他PMOS管的作用。如果是敏感的潮气量的变化,永远也不会做。如果是胡斯塔偏置晶体管晶体管或掉电或任何类型的开关,就可以做到这一点。没有问题。

希望清楚地

 
我认为上的金属duffsion情况下
, 如货币供应量M1在两个阱的最小间距psub(举行diffirent潜在的或不是),通道的街乡不会发生在所有的,因为渠道停止植入下,它需要更多的比内径创建一个下如果u检查PCM数据的0.6毫米5V的CMOS工艺仔细(8V的通道)。因此dont这样的担心。

纠正我
, 如果我犯错

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