虚拟金属诱导电容

E

erich123

Guest
大家好,

虚拟金属将引进更多的电容设计,我们使用两种常用的插入方法:
1)虚拟金属连接到地(或者功率)
2)浮动伪金属

我的问题是:
1)哪些伪金属类必然会引发更多的电容?为什么?是否有任何文件或有关它的理论的书??
b)什么是有利或各类disadvatage?

大家能否帮助我吗?谢谢!

 
我认为
, 虚拟诱导少浮动电容。

我试图模拟三个平行的金属线的拉斐尔结构。在
金属线结构三个被命名为从左向右的A,B和C。当金属乙
设置为浮动的,而总电容和C变小。

无论如何
, 我找不到任何文件
, 以证明我的意见。所有关于在IEEE伪金属文件似乎对浮虚谈。

我想原因可能是假的浮动金属容易填写。
:

erich123:

你能否介绍一下我的一些物质对接地金属假?

谢谢。

 
我也同意jemmy浮动电容少
, 假。我也尝试了

有关数据。

 
您好Jemmy和coolrak,

我也想能得到浮动小电容,我想知道为什么了。

任何人都可以帮助我们?

 
浮动金属填充的影响:
- couping电容,串扰
接地金属填充的影响:
-延迟

请参考以下电机及电子学工程师联合会文件。
-------------------------------------------------- --------------------------------
-电机及电子学工程师联合会交易的电子装置,卷。45,第3号,1998年3月-
“的物理和电气金属的影响填充图案的做法氧化化学机械抛光过程”

 

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