请帮助解决此有关隙,谢谢问题!

L

leonwang

Guest
至于在我的附件
, 图片,您可以看到在同一个基地
, 带隙双极串联电阻。

如果没有电阻这里,基极电流是由R5和那么这将增加超过其标称值输出参考电压。为了减少这种影响,该电阻置于双极基地。

但是,我如何计算电阻值?有谁能帮我吗?

非常感谢你!!!!!

 
我很抱歉。我添加了一些您的原理图符号。<img src="http://images.elektroda.net/8_1213144371_thumb.jpg" border="0" alt="Please help to resolve this problem about BANDGAP, Thanks!" title="请帮助解决此有关隙,谢谢问题!"/> 假设:

集成电路=一,C.2 = IC3

发射极面积比:无= ± 2 / Å3

有:

室速* ñ =层1号法律公告机关 IB2 * * [机关 (β2 1)*包]

Beta2中=一,C.2 / IB2
在VT是热电压。

选择第一季度和R1,以便:

层1 =米* IB2

在M是一个因素。

然后:

IB2 =室速*法律公告ŋ / [(米 1)*机关 (β2 1)*包]

的VREF =([(β2 1)* IB2 (BETA3 1)* IB3] *遥控 VBE3)*(r5 R6的)/ R6的

BETA3 = IC3 / IB3
该VBE3之间有基础和第三季度发射极电压。

如果:

β= Beta2中= BETA3

然后:

国际文凭= IB2 = IB3

的VREF = 2 *(试用版 1)*国际文凭*遥控 VBE3

以上是我的猜想,小心使用。

 

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