请帮助解决此有关隙，谢谢问题！

[leonwang]

至于在我的附件
， 图片，您可以看到在同一个基地
， 带隙双极串联电阻。

如果没有电阻这里，基极电流是由R5和那么这将增加超过其标称值输出参考电压。为了减少这种影响，该电阻置于双极基地。

但是，我如何计算电阻值？有谁能帮我吗？

非常感谢你!!!!!

 

[Guest]

很抱歉，您还没有登录查看此附件

 

[meitolake]

我很抱歉。我添加了一些您的原理图符号。<img src="http://images.elektroda.net/8_1213144371_thumb.jpg" border="0" alt="Please help to resolve this problem about BANDGAP, Thanks!" title="请帮助解决此有关隙，谢谢问题！"/> 假设：

集成电路=一，C.2 = IC3

发射极面积比：无= ± 2 / Å3

有：

室速* ñ =层1号法律公告机关 IB2 * * [机关 （β2 1）*包]

Beta2中=一，C.2 / IB2
在VT是热电压。

选择第一季度和R1，以便：

层1 =米* IB2

在M是一个因素。

然后：

IB2 =室速*法律公告ŋ / [（米 1）*机关 （β2 1）*包]

的VREF =（[（β2 1）* IB2 （BETA3 1）* IB3] *遥控 VBE3）*（r5 R6的）/ R6的

BETA3 = IC3 / IB3
该VBE3之间有基础和第三季度发射极电压。

如果：

β= Beta2中= BETA3

然后：

国际文凭= IB2 = IB3

的VREF = 2 *（试用版 1）*国际文凭*遥控 VBE3

以上是我的猜想，小心使用。