身体的晶体管基？

[zahrein]

Guyz，

朴素有人问为什么，身体的管理信息系统连接到VDD，而身体的NMOS管连接到地面？..

我知道答案的男孩一样的效果becoz的。我不知道如何回答...在双插卡方式及其对我来说很难理解。大家能否解释...
最后由zahrein编辑于2005年4月8日15时26分，编辑1次共

 

[DReynolds]

Zahrein，我不知道如何从您的帖子详细的释您想要...

人们可以把它作为“后门”，即像另一个输入
， 如果你增加身体的电压源（用于NMOS）这对你的电压门码头工程
， 把后门。希望这有助于

大卫雷诺兹

 

[zahrein]

1 lttle位...但任何人都可以解释更多..

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />

天晴..

 

[Guest]

男子看设备的三维结构。
我们背对背连接的二极管，你donot希望他们可以提出任何偏见。

例如PMOS管

顶底
Pdiffusion
阱的最小间距
Psubstrate。

现在我们与P 和阱的最小间距二极管的反向偏置它阱的最小间距必须在相同或高于潜在的P 扩散
类似之间阱的最小间距和P衬底二极管

希望我清楚

 

[nittinsharma80]

嗨
？电子方式？
看起来你很马鞍山新手的感觉。但你有你的自我发展的基础。
只是尽量把握马鞍山的运作和兽医管理局效果（来源-散装电压阈值电压）。
还努力想在阈值电压变化对马鞍山输出电流ID已生效。
搜索机构的偏见。为什么和如何需要发现
， 一旦你做，你QN的答案是清楚地看到你。
最好的运气。

 

[Guest]

[No message]

 

[ceyjey]

嗨，
首先，在过程的一般马鞍山，源极和漏极是孤立的PN结。为了确保MOS器件的正常工作，PN结要反向偏置。
其次，如你所知，NMOS管有一个P型衬底与N型源漏，而PMOS管有一个N型衬底的P型源极和漏极。为了扭转偏见的PN结，您必须连接的NMOS管基板GND和基板的PMOS管到VDD。
你也许可能争辩说
， 没有这样做
， 实现反向偏压。是的，只要你保持的N端比P方更高的电压，可以实现反向偏压。但问题是，在P型衬底
， 是所有NMOS器件在单个芯片上普遍基板代表ñ的进程。你根本不知道在什么电压将PN结安全偏颇，除了最低的电压接地。这同样适用于N型衬底。
希望这有助于

关心
ceyjey