这两种情况的设计逆变器之间的差异

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asicpark

Guest
您好，我有一个基本的问题，我一直在很长一段时间了。逆变器的设计，有两种方式输出至周六供应的中间，假设UN = 2Up。情况1：（调整的witdh）p沟道金属氧化物半导体：2W / L时，NMOS：W / L的例2：（调整长度）p沟道金属氧化物半导体：W / L，NMOS：W/2L其实，我不知道有什么区别，或者利益和缺点。有谁知道关于此？谢谢，
 
对于数字化设计，我们使用PMOS和NMOS的最小长度，因为我们不会关心在饱和区的MOSFET的输出电阻。
 
从理论上讲，这两种情况下是相同的。但是，较长的晶体管的长度意味着更长的切换时间。通常情况下，保持相同的长度。
 
应选择案例1。在数字电路中，最小的大号是选择，并可以igonerd，因为它只是一个开关电路，沟道长度调制。 ，智能
 
*首先在上面的第一篇文章中提到的“开关”。 *第二：为了减少你会chosse CD（关键尺寸= allowd分钟的长度。）所有类型的数字最。所以你选择如L = 0.13，NMOS的宽度将是你需要尽可能快地的！用于PMOS相同（在情况下，你不需要对称上升和下降时间）或2-3倍wnmos。
 
两个逆变器的相同输入上限，而第一种类型具有更大的drivering能力;其次，不知道你的模型可以支持2 *大号;第三，它的不匹配的，但更大的大号通常意味着你小得多泄漏电流，但在这些情况下，您的NMOS闸极漏电流也随之增加。
 
它不是设计任务Vth的逆变器电源电压的中间。之前的任务是保证symetric的上升和下降时间。因此，动态比静态的情况下，更interst。一个symetric静态（DC）transferfunction的不同，因为有不同的输入上限负荷P和N最symetric上升和下降时间
 
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