选择电阻和电容之间。

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fasto2008

Guest
Helle大家。我要设计一个电路MDAC（乘数数字模拟转换器）和我有一个电阻= 20K和电容= 100纳米。我可以选择哪种类型的电阻和电容？保利电阻或聚SB电阻或N的扩散电阻或P扩散电阻或N井电阻。的NMOS电容或PMOS电容或CTM电容器。提前感谢帮助
 
保利电阻是首选，因为它小的电压coefficiency。什么是CTM的第呢？我认为NMOS / PMOS管不适合精确的DAC非线性。 PIP帽，MIM的上限或MOM帽是更好的选择。
 
20K电阻由保利，将是一个大面积的成本，如果不是那么严格，n阱电阻也是一个不错的选择。和100pF的电容可以很容易地通过MOS门第（接地漏极和源极）。
 
leo_02您好，感谢您的帮助。 CTM是指第顶层金属，你的意思是由小的电压coefficiency？有一些文件？我使用L -编辑唐纳，我没有PIP帽，MIM的上限和MON帽。
 
你可以选择高电阻多晶硅不会有大面积的。 PIP第适合你。
 
你真的要找到你的进程的一些电气参数。电阻：薄膜电阻，temp.co. （TCO）和可能的线性度和匹配是重要的规格。电容：cap.density，电压线性度和渗漏及配套是重要的。没有你的工艺和设计大家知识，尝试建议您使用最小的设备。高保利薄氧化层MOS帽。
 
Helle大家。我要设计一个电路MDAC（乘数数字模拟转换器）和我有一个电阻= 20K和电容= 100纳米。我可以选择哪种类型的电阻和电容？保利电阻或聚SB电阻或N的扩散电阻或P扩散电阻或N井电阻。的NMOS电容或PMOS电容或CTM电容器。提前感谢帮助
 
保利电阻是首选，因为它小的电压coefficiency。什么是CTM的第呢？我认为NMOS / PMOS管不适合精确的DAC非线性。 PIP帽，MIM的上限或MOM帽是更好的选择。
 
20K电阻由保利，将是一个大面积的成本，如果不是那么严格，n阱电阻也是一个不错的选择。和100pF的电容可以很容易地通过MOS门第（接地漏极和源极）。
 
leo_02您好，感谢您的帮助。 CTM是指第顶层金属，你的意思是由小的电压coefficiency？有一些文件？我使用L -编辑唐纳，我没有PIP帽，MIM的上限和MON帽。
 
你可以选择高电阻多晶硅不会有大面积的。 PIP第适合你。
 
你真的要找到你的进程的一些电气参数。电阻：薄膜电阻，temp.co. （TCO）和可能的线性度和匹配是重要的规格。电容：cap.density，电压线性度和渗漏及配套是重要的。没有你的工艺和设计大家知识，尝试建议您使用最小的设备。高保利薄氧化层MOS帽。
 
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