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我设计一个稳压器采用联电0.13。
我作为一个传递的元素
, 但最后的大小超过预期HGLV晶体管。
所以,这是更好用元素是它通过低阈值电压,或本机Vth的,或常规阈值电压?
当我提出一个阈值电压的低通元件误差放大器的输出共模水平高(正常运行的地区下降了)这使得在设计的限制
, 影响了性能,因此我得出结论认为
, 提高晶体管的阈值电压适当的
, 它可能有更小的尺寸??
我想知道你在这一问题发表了意见。
还因为我不是在模拟设计经验不足,我不知道之间(HGLV,HGNVT,汞)等设备的差异,任何人都可以申报
, 我这些,诸如什么是定期和本地之间的阈值电压的差异,以及为什么他们被称为高
, 而不是高电压增益,..等
预先感谢。
我作为一个传递的元素
, 但最后的大小超过预期HGLV晶体管。
所以,这是更好用元素是它通过低阈值电压,或本机Vth的,或常规阈值电压?
当我提出一个阈值电压的低通元件误差放大器的输出共模水平高(正常运行的地区下降了)这使得在设计的限制
, 影响了性能,因此我得出结论认为
, 提高晶体管的阈值电压适当的
, 它可能有更小的尺寸??
我想知道你在这一问题发表了意见。
还因为我不是在模拟设计经验不足,我不知道之间(HGLV,HGNVT,汞)等设备的差异,任何人都可以申报
, 我这些,诸如什么是定期和本地之间的阈值电压的差异,以及为什么他们被称为高
, 而不是高电压增益,..等
预先感谢。