通元件的LDO

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我设计一个稳压器采用联电0.13。

我作为一个传递的元素
, 但最后的大小超过预期HGLV晶体管。

所以,这是更好用元素是它通过低阈值电压,或本机Vth的,或常规阈值电压?

当我提出一个阈值电压的低通元件误差放大器的输出共模水平高(正常运行的地区下降了)这使得在设计的限制
, 影响了性能,因此我得出结论认为
, 提高晶体管的阈值电压适当的
, 它可能有更小的尺寸??

我想知道你在这一问题发表了意见。

还因为我不是在模拟设计经验不足,我不知道之间(HGLV,HGNVT,汞)等设备的差异,任何人都可以申报
, 我这些,诸如什么是定期和本地之间的阈值电压的差异,以及为什么他们被称为高
, 而不是高电压增益,..等

预先感谢。

 
我用氢化物经常性心动过速,但大小不会减少很多[虽然设计已经简化]
任何帮助
, 请。

 
您好
我认为晶体管choise还就电力供应,什么是您的内径价值?

 
辍学的是0.1伏特,LDO的输出为1.2V和输入≥为1.3V。

 
您通过设备选择(高室速,室速低,常会)也将取决于总的漏电流规格你。否则,wont在合格的设备的大小相差不大
, 支持相同数量的电流。

如果您需要有较低的高度去泄漏室速装置。

 
不幸的是,我没有在我的队服
, 我的高阈值电压(低室速,室速为母语,定期VT)的

我曾问我对母语的室速的朋友,他告诉我
, 它具有零室速??

上述类型都是高增益(高压)晶体管
, 我认为他们有低泄漏,不是吗?

 
乌拉圭回合的朋友是对本机设备而造成的负面虚拟化技术。但我不认为高电压设备是指低泄漏设备。高压手段对我的承受能力在门口和漏更高的电压(VGS电压及自愿离职计划)。

 
因此,定期阈值电压好像是我的最佳选择
, 因为它导致了简单的设计和更低的泄漏
, 在一些较小的大小比低阈值电压之一。

我认为
, 在正常稳压器设计的静态电流泄漏会比大,是不是真的吗?

另外,我有一个小问题,为什么高压装置被命名为高增益?(这是有关进程?)

 
是在quescient电流比正常泄漏更大的设计。这是不是故意...使稳压器在无负载条件下稳定。

至于第二个问题
, 我也不清楚
, 但也许其所谓becoz他们支持更高的电流(从而取得更大的通用汽车一样大小)。纠正我
, 如果我错了。

 
我认为这是高之间的VT和低得多deffrence室速装置。

ashish_chauhan说:

您通过设备选择(高室速,室速低,常会)也将取决于总的漏电流规格你。
否则,wont在合格的设备的大小相差不大,支持相同数量的电流。如果您需要有较低的高度去泄漏室速装置。
 
我是工科学生。

我所做的LDO的项目。5分钟后加上:winsonpku说:我认为对于通过设备,低阈值电压也许首选

但是这会增加一个额外的面具,这将增加成本。
 
winsonpku说:

我认为这是高之间的VT和低得多deffrence室速装置。我认为对于通过设备,低阈值电压也许首选

但是这会增加一个额外的面具,这将增加成本。高电压设备可能有较大的输出resistace,

因此,他们在正常情况下高增益。
 
如果你给予了一步负载电流的瞬态仿真,你会发现
, 在晶体三极管地区传递工作和低阈值电压晶体管将大于相同面积的高电流对应瓦图。

泄漏电流也许不是一个问题与静态相比
, 在其他部分的LDO的电流消耗。

如果你分析,你会发现更多的稳定是在大电流负载条件严重。


ashish_chauhan说:winsonpku说:

我认为这是高之间的VT和低得多deffrence室速装置。我认为对于通过设备,低阈值电压也许首选

但是这会增加一个额外的面具,这将增加成本。高电压设备可能有较大的输出resistace,

因此,他们在正常情况下高增益。
 
我认为你没有得到我的观点...
我同意
, 在大电流负载瞬态室速低的设备将有助于快速恢复情况...

但是,什么时候我需要的是功能条和负载调节
, 可下面100nA的...我想你低室速仪器将误差放大器饱和
, 从而杀死loopgain,因此完整的调节功能。

在这种情况下
, 高虚拟化技术将会得到更好
, 因为它会得到饱和之前
, 乌拉圭回合安培关闭。

余回合情况下,如果检查无负荷您将无法稳定下来没有出血一些额外的设备
, 通过乌拉圭回合通过,目前可超过1uA的
, 甚至监管机构的稳定。当你的目标是五成总电流消耗ü规范不能仅仅通过传递设备停机时!

希望我把我这点时间。

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />
 
ashish_chauhan说:但是,什么时候我需要的是功能条和负载调节,可下面100nA的...
我想你低室速仪器将误差放大器饱和,从而杀死loopgain,因此完整的调节功能。在这种情况下,高虚拟化技术将会得到更好,因为它会得到饱和之前,乌拉圭回合安培关闭。

 
在你的'规定'的条件,你说得对!
我没有找到我生命中的应用和它非常difficut得到你的答复您的意见!
稳压器有一个反馈
, 在正常应用循环,消耗的反馈回路大多数情况下
, 几微安。BTW:你解释一下
, 错误放大器与细节室速装置低饱和?谢谢!

ashish_chauhan说:

我认为你没有得到我的观点...

我同意,在大电流负载瞬态室速低的设备将有助于快速恢复情况...但是,什么时候我需要的是功能条和负载调节,可下面100nA的...
我想你低室速仪器将误差放大器饱和,从而杀死loopgain,因此完整的调节功能。在这种情况下,高虚拟化技术将会得到更好,因为它会得到饱和之前,乌拉圭回合安培关闭。余回合情况下,如果检查无负荷您将无法稳定下来没有出血一些额外的设备,通过乌拉圭回合通过,目前可超过1uA的,甚至监管机构的稳定。
当你的目标是五成总电流消耗ü规范不能仅仅通过传递设备停机时!希望我把我这点时间。
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />
 
目前在市场支持的产品需要在待机模式下的稳压器等规格。

室速的低的设备,以规模做大...当放大器试图切断移动设备上effectivey了合格的设备在栅极电压(PMOS管说),并在这对输出级晶体管放大器的情况之一可能会得到的饱和了的25mV的低自愿离职计划.. 。现在来解决这个问题要么你尝试修复与放大器的电流或其他方式。

 
我已经使用低阈值电压
, 但它的功能没有
, 除非我已经添加了一个对外开放水平移位完成(二极管连接加载NMOS管共同来源)。这是设计的复杂性
, 我在过去的文章的意思。

现在,我还有一个是有关同一主题的问题(因此我要问在这里):

如何在有关的误差放大器的增益通元件的大小,我有模拟的误差放大器和发现
, 增加收益减少了所需的大小-有些如何- ,任何人都可以解释吧。

 
这应是一个情况下
, 只有当你是一个项目办通过设备本身为您提供一些收益。(共源配置交谈)

见非反相放大器的输入电压输出电压=(1 R2/R1)...这是假定收益是无限的。但实际上
, 它是有限的。所以
, 高增益越好。

当您有较大的误差放大器增益你不要理会
, 如果乌拉圭回合通过设备或不饱和
, 因而也更小的装置作品。但是对于较小的放大器增益ü尝试以相同的弥补保持传递饱和设备(从而提供一些十五分贝至20分贝增益)

希望这会令一些线索。

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