问题拉扎维图书

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在共源共栅电流镜(5.2拉扎维的书)章
在当前的镜子章开始。拉扎维告诉我们
, 他们忽略了沟道长度调制。但在实践中这一重大错误复制电流作用的结果,特别是如果最小长度的晶体管是利用
, 从而减少宽度
, 因此
, 电流源输出电容。

我的问题是
, 为什么在这个重大错误审议结果的最低transistos特别是如果使用?

谁能给我解释一下

 
Okazuje się, że wcale nie tak wiele. Co prawda dzisiaj na płytach montuje się zazwyczaj 12-15 portów, co jest wartością niewystarczającą, ale od czego dodatkowe karty PCI-e z kontrolerami i dodatkowymi złączami? W sumie do przygotowania potrawy konieczne jest 30 … <a href="http://www.frazpc.pl/aktualnosci/576281,Jak-wiele-poczonych-ze-sob-portw-USB-potrzeba-aby-usmay-kiebask.html">Continue reading <span class="meta-nav">→</span></a>

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由于通道长度调制成正比什么?(沟道长度ofcourse),以便在出现故障的长度的通道效应
, 上涨的阻力出现故障。如果有都是生活在低输出阻抗的MOSFET(短通道),您必须考虑他们的准确的结果。

 
你能告诉更多的通道效应的细节。而最后一部分
, 我不很明白

 
为电流源,输出电阻是越大越好,这仍然是有用的电流镜。这意味着,当您的大电流输出电阻,在输出节点电压会影响输出电流小。

现在,让我们回到拉扎维的书第二章,并参照方程(2.3

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cool.gif" alt="凉爽的" border="0" />

,你会发现在饱和区的MOS晶体管的输出电阻r0 =1/λID

比,回到方程(2.26),你会发现上面的公式假设:

ΔL/升=λVds。

在共同的过程中,ΔL是一个常数,所以当你使用大升,比小λ将会得到,并导致大量的输出电阻
, 以改善当前镜稳定。所以
, 当您使用的晶体管的最小长度,您不能复制当前很会,因为节点电压输出电流的影响巨大。

 
嗨,

沟道长度调制主要通道时
, 尺寸为低。低通道的尺寸可以是指缩小晶体管或通道的最小长度..........这个通道长度调制拉姆达= 1/rID .....

regds

 
一种方法纠正目前的沟道长度调制反射镜是同时使用的参考电流的晶体管和反映当前的晶体管共源共栅晶体管,因此,通过在同一个讥都可以得到准确的电流镜像。

 

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