问题是关于MOS RC滤波器电阻

[kevinlin]

大家好，我有模拟一个简单的RC滤波器作为resistor.The的NMOS偏置在阈值和三极管区域的NMOS发挥，所以它可以有较大的阻力。在交流模拟，我发现一个低频极点出现的一个预测结果，但一个RHP零点其次是confused.Where它是从哪里来的？在反式模拟，我发现直流点不等于400mV的，但慢慢上升到370mv，永远赶不上到400mV的，它meaned有sinked MOSFET的电流呢？感谢你给我交代。

 

[LvW]

[报价= kevinlin]大家好，我有模拟一个简单的RC滤波器作为resistor.The的NMOS偏置在阈值和三极管区域的NMOS发挥，所以它可以有很大的阻力。 ............... [/QUOTE]偏置条件是建立通过栅源电压。然而，你的源节点是浮动的。更重要的是，没有直流电流流过的漏源路径。要小心，AC模拟并不总是告诉你真相！

 

[kevinlin]

是的，它is.In我的选择，它是一个低通滤波器。在我的模拟中，我发现，它不是一个线性电阻，所以开盖费是不同的。

 

[FvM]

在我的模拟，我发现，它不是一个线性电阻。

并不奇怪，实际上。至于传输功能零，您可以简单地假设一个数FF（非常小）的CD ... ...也没有一个真正的设备不足为奇了。

 

[rfsystem]

作为电阻的MOS三极管，但在亚阈值区，是很难的，因为在直流电压的变化而变化也以指数的方式有效的抵抗。该电路的解决方案是栅极驱动电阻的端电压dependend。但基材效应对NMOS难以实施。它是孤立的NMOS或PMOS的基板可以连接到滤波器输入更容易。然后，门是由放转向过滤器的直流输入电压的MOS电阻栅极驱动电压。至于作为零的来源，我有怀疑，该模型是正确的CD。如果你地面基材有只流浪的上限从漏极到源。门工程作为挡箭牌。在较高的频率分成较短的渠道细分的一个典型的长通道的一个分布式的MOS模型更准确。另外这里的CDS是典型的没有发现。基板有一个分布式的阻力和我认为，给出了一些耦合直接从漏极到源W / O通道的影响。因此，在你的模型的密切关注。

 

[kevinlin]

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[LvW]

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[kevinlin]

是的，它is.In我的选择，它是一个低通滤波器。在我的模拟中，我发现，它不是一个线性电阻，所以开盖费是不同的。

 

[FvM]

在我的模拟，我发现，它不是一个线性电阻。

并不奇怪，实际上。至于传输功能零，您可以简单地假设一个数FF（非常小）的CD ... ...也没有一个真正的设备不足为奇了。

 

[rfsystem]

作为电阻的MOS三极管，但在亚阈值区，是很难的，因为在直流电压的变化而变化也以指数的方式有效的抵抗。该电路的解决方案是栅极驱动电阻的端电压dependend。但基材效应对NMOS难以实施。它是孤立的NMOS或PMOS的基板可以连接到滤波器输入更容易。然后，门是由放转向过滤器的直流输入电压的MOS电阻栅极驱动电压。至于作为零的来源，我有怀疑，该模型是正确的CD。如果你地面基材有只流浪的上限从漏极到源。门工程作为挡箭牌。在较高的频率分成较短的渠道细分的一个典型的长通道的一个分布式的MOS模型更准确。另外这里的CDS是典型的没有发现。基板有一个分布式的阻力和我认为，给出了一些耦合直接从漏极到源W / O通道的影响。因此，在你的模型的密切关注。