问题有关的PLL芯片和无源滤波器

A

AdvaRes

Guest
大家好，
我有一个问题关于片上锁相环。是否更好地执行关于与PLL芯片筛选或构建利用非芯片capaciatnces和电阻吗？

事实上
， 我意识到
， 过滤片上电容的有大面积。

 
这取决于多大的环路滤波元件是..，这是最好保持片
， 以减少对道路的寄生电感。此外它避免了一针包装上，但它是最好的
， 是在测试访问VCTRL节点。

 
嗨，
如果电容是秩序佛罗里达
， 自然有它的片有道理，但对部分具有片上是好的
， 我们就可以避免大量的寄生虫路径，为芯片，公共服务电子化的和噪声（由于额外的引脚针），可以有可编程增加了对循环的组成部分通过控制数位。
片外优势
， 如果有的话？？
关心，
缩

 
组件参数小到可以放在芯片。您可以尝试moscaps减少面积很大，如果泄漏是微不足道的。
什么是相位噪声SIM卡设置？，是全党的循环呢？这是后提取？什么是承运人的幅度？

 
您好AdvaRes，
我猜想它的一聚电阻和npoly，阱的最小间距帽正在使用。我认为
， 最好使用一阱的最小间距电阻器，优点是不那么没有。头的电阻（促进噪声）和电阻范围也较小。
我觉得有2 1 moscap缺点
一“低帽密度比聚阱的最小间距帽。
2“的MOS器件在饱和的
， 否则我们可以看到对上限的影响很大（如果马鞍山看到了不同地区之间的过渡
， 原因不明）。

谢谢，
缩

 
ravirajdv说：我觉得有2 1 moscap缺点

一“低帽密度比聚阱的最小间距帽。

2“的MOS器件在饱和的，否则我们可以看到对上限的影响很大（如果马鞍山看到了不同地区之间的过渡，原因不明）。

 
1。据我所知马鞍山帽子是最好的当谈到上限密度。，他们没有任何对他们有利的（高串联电阻一样，底板盖，漏电流，非线性wrt的电压等）
2。什么ravirajdv大概的意思是，MOSFET必须在强有力的反演偏见。这wont锁相环中的一个问题
， 因为处长不能工作一直到今年的供应和200mV的左右通常足以偏置moscaps的地区
， 它们是相当线性的。

 
您好Saro_K_82，
如果我们采取NMOS管MOS器件说
， 我们作为一个终端门
， 而另一端是一个源极和漏极蘼差异在1个P -衬底。该频道已经颠倒（倒置强烈），形成与源极和漏极diffs另一个板块。
相反
， 如果我们之间有一个聚和阱的最小间距帽，我认为应增加密度的上限。此外
， 我们应该能够表征设备的ESR精确。这也应该改善设备的线性度。
诚然
， 马鞍山将较少的泄漏
， 因为有没有阱的最小间距它下面一大块。

谢谢，
缩

 
芯片中最薄的尺寸是氧化层厚度..，加上EOX含量高，有什么可以击败规定上限的moscap当谈到密度。

关于电子自旋共振时，它的发生只是因为聚应该是相同的两种类型的高与低阻力通道密度
， 加上马鞍山帽，（与井阻），他们将展出超过聚高Q -阱的最小间距类型。

该thinnox是在CMOS过程中最严格控制的参数
， 所以在马鞍山股价值发现的变化是最。

CP的产量从1 MOS晶体管的饱和度和低通滤波器的输出漏来都到了饱和的MOS晶体管的栅极（或变容二极管而这又是一个马鞍山）。因此
， 没有任何情况下
， 马鞍山上限的偏见需要。在对马鞍山帽帽值从200mV的变化1.2V的非常少
， 在90纳米及以下工艺。

最后聚阱的最小间距帽也有电压依赖性。

 
您好AdvaRes，
你将不得不把基质环或前后盖保护环和电阻。通常指定的进程
， 我们需要有基板接触
， 也就是说
， 每30um。设计一个快速的运行规则检查应该给您这些错误。
通常当您运行该工具金沙试图找到在一些领域的基板接触
， 以便它可以与/识别基板特定的设备。在目前情况下我想你可能没有把这些设备附近的任何基材接触。
检查这些。

关心，
缩

 
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