问题：对阈值电压偏差

[leonken]

我想知道的阈值电压偏差（MOSFET阈值电压的每个MOSFET的相同的过程）。在同一芯片上的相同大小的MOSFET的偏差是什么呢？5％或10％？
又如何在同一进程中阈值电压偏差
， 但在不同死？
谢谢您

 

[˳]

你可以参考的模式。
或铸造的PCM数据

 

[yibinhsieh]

在阈值电压偏差通常低于100mV。但是
， 非常依赖的栅极长度。您可以查看详细的模式。对于短沟道器件的阈值电压偏差非常复杂
， 比长通道器件较大。

宜宾。

 

[Colbhaidh]

铸造规格通常是 / - 50mV的3西格玛。这也适用于整个晶圆和晶圆到晶圆所以没有点应不如 /从名义- 50mV的。这适用于所有晶体管的大小
， 但通常只有10um x 10um，10um x Lmin与Wminx10um检查。Wmin x Lmin，很可能无法检查或如果是，该规范可广泛..
阈值电压的计算方法
， 慢加速从0栅极电压与漏源电压= 50mV的（或有时100mV到1.8V的）。入侵检测队栅极电压最大坡度的计算方法和外推回零的ID。这是入侵检测零值的阈值电压（＆'5）。

 

[MLR67]

喂，

有此为马鞍山您需要采取在您的DRM（设计规则手册期待值）
关于它
， 你会发现非标准偏差（高斯分布这个占晶体管类型的参数）

 

[leonken]

每个MOSFET阈值电压是从其他国家没有什么不同。
这样，又如何区别一P通道MOSFET和一个N沟道MOSFET的阈值电压。
假设：deltaVth = Vthp，Vthn
在deltaVth价值也有所不同芯片？

 

[tsanlee]

我们可以检查笏数据形式铸造。
但是
， 这一数据是衡量后
， 晶圆出。
如果您使用此过程第一次，你可以向Spice模型（特不锈钢法郎...拐角处）或PCM。

 

[Guest]

[No message]

 

[bunda_bindaas]

如果您的设计工具包（模型）从铸造那么
， 他们与他们的统计变化。这些差异可以检查使用。外箱尺寸在雅都命令。它只能用于与直流分析

语法如下：

。外箱直流vth0帕拉姆='lv9（米）'，其中m是MOS器件标识

希望这有助于！

 

[uncle_urfi]

或运行参数扫描第一，转到了'结果浏览器'，找到了晶体管和Vth的点击阴谋。（使用Cadence的工具
， 那是）