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嗨,
我设计了两个通道管线式ADC(TSMC0.13um的过程中,为1.3V电压)
但是我的第一阶段暂态仿真。有一个问题我无法处理。
你可以看到图片附件的瞬态输出曲线。
绿色一个是预布局SIM卡,一个是黄色的布局后SIM卡。
理想之沉淀值应ą500mv,但在后的布局有一个SIM卡,2mv
转移
, 因此该值498mv和- 502mv。
我认为这是不匹配造成的,但我有它如何arised不知道。
祝你的帮助
西区发展计划
很抱歉,您还没有登录查看此附件
我设计了两个通道管线式ADC(TSMC0.13um的过程中,为1.3V电压)
但是我的第一阶段暂态仿真。有一个问题我无法处理。
你可以看到图片附件的瞬态输出曲线。
绿色一个是预布局SIM卡,一个是黄色的布局后SIM卡。
理想之沉淀值应ą500mv,但在后的布局有一个SIM卡,2mv
转移
, 因此该值498mv和- 502mv。
我认为这是不匹配造成的,但我有它如何arised不知道。
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