Mar 15, 2000 #1 S sam_2999 Guest 我碰到的一些文件是指长期在加强场板栅氧化层是由在附近的一个或两个步骤（即三个级别的栅氧化层厚度），以增加一个LDMOS的击穿电压流失厚。这怎么是不同于LOCOS（场氧化增长）？是否有文件或一本书上捏造引用呢？ 谢谢， 三
我碰到的一些文件是指长期在加强场板栅氧化层是由在附近的一个或两个步骤（即三个级别的栅氧化层厚度），以增加一个LDMOS的击穿电压流失厚。这怎么是不同于LOCOS（场氧化增长）？是否有文件或一本书上捏造引用呢？ 谢谢， 三
